Lumics 推出1KW激光光源

<table border="0" bgColor="#ffffff" align="center" width="95%" cellPadding="0" cellSpacing="4">
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<td>
<h2>
<p align="center" class="style7">
<h3><span id="Abstract">【摘要】2007年4月24日，德国Lumics公司今天推出LU0940C1000 1kW输出的泵浦激光器光源。</span></h3>
</h2>
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<td background="images/news_04.jpg"><img width="16" src="http://www.rayscience.com/blog/wp-admin/images/news_04.jpg" height="8" /></td>
</tr>
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<td>
<p class="news_link"><span id="ConTent">　2007年4月24日，德国Lumics公司今天推出LU0940C1000 1kW输出的泵浦激光器光源。该产品基于多个泵浦激光器模块组合而成，采用19英寸标准机架尺寸，采用水冷系统，配合驱动电路，光纤输出。该产品支持915nm, 940nm, 960nm 975nm多个波长。</span></td>
</tr>
</table><br /><hr /> Orignal From: <a href="http://www.rayscience.com/blog/?p=105" target=_blank>Lumics 推出1KW激光光源 </a><br />

施正荣和他的同行者

  虽然已经拥有了太多荣誉，但 拿到美国纽约证券交易所国际 顾问委员会(MOU)成员的聘书，还是让施正荣激动不已。2006年8月8日，纽交所总裁凯瑟琳·吉尼、总经理马杜一行在南京向施正荣颁发了这张"白金级"聘书。拥有这样聘书的全球仅有30人，全部为顶级企业的董事长和总经理，施正荣是唯一的中国人。 
 
    
 　　虽然国际资本市场对中国太阳能概念股的热情已经大大减退，但尚德的股票却一直受到追捧，2006年12月以来其股价一直在30美元以上，今年2月初甚至再次摸到40美元，尚德在纽交所的市值超过50亿美元，成为全球光伏行业市值最高的企业。
 
    
 　　今天，在从硅材料到光伏市场的整个链条中，无锡尚德成为国内光伏企业中唯一具有话语权可以影响产业链的企业，其不断扩张的产能，不仅对国内光伏企业，甚至对国际光伏行业都产生很大的影响。
 
    
 　　分析师预测，2006年尚德的营业收入将突破5亿美元，净利润将超过1亿美元，"尚德会在中国整合产能资源，而在全球以联盟、合作等方式解决原材料、市场等环节。"
 
    
 　　而以他为榜样，国内也有越来越多的企业家冲进了同一块市场。
 
    
 　　尚德合纵
 
    
 　　2006年8月，尚德和MEMC公司签订了长达10年的采购合同，此项长期供应合同可为其未来10年的快速发展提供稳定的原材料供应保证，特别是在未来3年硅材料供应十分紧缺的情况下。尚德已经为2010年实现1000兆瓦的目标，挑战日本夏普在光伏产业的霸主地位，备齐足够的枪支弹药。
 
    
 　　中国台湾地区东部海岸，MEMC的3000吨级的多晶硅生产项目即将动工，作为采购合同的一部分，尚德以无息贷款或者押金的方式向MEMC预付资金，以用于扩大MEMC的产能，MEMC计划到2008年将产能从2006年的5000多吨提升到8400吨。此外，MEMC最多还可购买无锡尚德4.99%的股权。双方商定的采购价格将以往年价格作为基准参数，预计将逐年下降。
 
    
 　　目前尚德硅片供应有50%来自国内，50%来自国际市场，但国内市场提供硅片的价格明显高于国际市场。一旦国际市场能够为尚德提供充足的原料，尚德肯定会减少在国内的采购。"不仅仅是技术不成熟，国内电价比国际市场高出很多，而电力在硅材料成本中占据首位，没法参与国际竞争。"也正因此，施正荣谈得更多的是在全球市场上整合资源。
 
    
 　　除了解决上游硅材料问题外，尚德还在努力开拓国际市场。2006年8月，无锡尚德以3亿美元收购日本MSK公司，企图借助其品牌进入日本市场。MSK是日本最大的光伏制造商之一，也是建筑集成光伏领域的领先公司之一，进入太阳能光伏领域已有20多年历史。MSK在全球销售布局、成熟的品牌策略和国际化市场营销专业技能，对于尚德实施全球拓展战略具有极大的现实价值。
 
    
 　　日本不仅是最大的太阳能电池单一市场，也是外国企业最难进入的市场之一。日本能源极度匮乏，常规能源的电价成本相对较高，对新能源产业极为重视。MSK收购案在日本引起极大的震动，日本是最早使用太阳能的国家，最早将光伏产业提高到国家战略地位，以至于许多日本人并不愿意看到中国企业收购日本光伏企业。
 
    
 　　2004年以前，日本占据世界光伏市场的半壁江山，之后两年日本光伏市场的全球份额虽然降到30%，但仍然具有近400兆瓦的市场。日本是太阳能的第一制造大国，夏普仍然是目前毫无争议的全球老大，京瓷、三洋、三菱等日本光伏企业也都有巨大的产能，而且保守的日本人不轻易使用外来产品。
 
    
 　　也正因此，绝大部分中国光伏企业都与日本市场无缘。2006年尚德的产能已经达到240兆瓦，跃居世界三强，但与日本夏普600兆瓦的产量距离尚远，打造1000兆瓦成为全球老大是施正荣的梦想。在中国光伏市场迟迟没有启动的情况下，要实现这个理想，日本市场就是尚德的必争之地。
 
    
 　　新南威尔士大学的校友们
 
    
 　　中电电气可能是继无锡尚德之后最受追捧的光伏企业，而南京中电最大的卖点就是赵建华。赵建华是施正荣在新南威尔士大学的师兄，在理论研究方面的资历比施正荣还要深，他与夫人王爱华是单晶硅太阳能电池光电转换率24.7%的世界纪录的保持者。
 
    
 　　1988年，施正荣公派到新南威尔士大学 
 
    
 
 
    
 留学时，赵建华已经在马丁·格林教授的研究所工作3年了；施正荣成为该所研究员时，赵建华已经升任光伏研究所的副主任。2004年5月，南京中电电气集团董事长陆廷秀与以赵建华夫妇为首的技术团队达成协议，共同投资成立南京中电。
 
    
 　　赵建华担任南京中电总经理，也是技术研发的带头人。产业规律显示，太阳能电池的光电转换率每提高1%，整个生产成本将下降9%左右，虽然从实验室到大规模生产的转换率，仍然存在大量的技术难题，但南京中电无疑是国内最有研发实力的企业之一。
 
    
 　　资本追捧的程度超过赵建华的想象。虽然还没有上市，但在私募活动中，南京中电许多高管人员就已经拥有了大量财富。在胡润2006年能源富豪榜中，南京中电居然占据3个席位——赵建华、王爱华夫妇以8亿元的财富位居第21位；曾担任无锡尚德总经理助理的杨怀进以7亿元名列第27位；另一位来自南京中电的张凤鸣，同样在南威尔士大学取得博士学位，以5亿元名列第34位。
 
    
 　　在光伏产业中，新南威尔士大学赫赫有名，特别是在硅体系的理论研究中更是处于权威和核心的地位。马丁·格林教授是诺贝尔环境奖获得者，素有"世界太阳能之父"的称号，施正荣与赵建华都是他的弟子。也正因此，拥有新南威尔士大学光伏专业博士，有时也能一定程度上反映企业的技术实力。
 
    
 　　目前，无锡尚德拥有的新南威尔大学光伏方面的专家最多，除了施正荣之外，负责研发的蔡世俊、张光春等都是新南威尔士大学的光伏博士，施正荣甚至还请来新南威尔士大学光伏研究中心主任Stuart Wenham担任首席技术官。
 
    
 　　河北晶龙集团投资成立晶澳太阳能科技公司，进军太阳能电池业务时，就将新南威尔士大学的戴熙明博士推向前台，称其为马丁·格林实验室的三位核心科学家之一；林洋的研发中心也聚集了来自澳大利亚的研发人员，首席技术顾问郑广富也是来自新南威尔士大学的博士，曾与施正荣在同一个实验中研究薄膜技术；而另两位技术骨干，电池事业部总监汤云辉与工程技术中心主任云飞也都曾在新南威尔大学从事硅电池的研究。
 
    
 　　新南威尔士大学为中国光伏产业的发展提供了巨大的技术支持。虽然新南威尔士大学在光伏研究中处于世界领先水平，但澳大利亚的光伏市场一直没有启动。也正因此，在"尚德效应"的影响下，在新南威尔士大学从事光伏技术的中国人纷纷回国创业。 
 
    
 　　有人统计，回国创业的新南威尔士大学光伏博士共有12位，他们都在国内光伏企业位居要职。现在，来自新南威尔士大学的技术人员越来越多，都自称为格林教授的弟子，即使是业内同行，许多人也搞不清楚哪些是嫡传弟子，哪些或许只是听过教授讲课或者在试验室里参观过。但不管怎样，在中国光伏产业发展的历史上，新南威尔士大学注定要留下深深的痕迹。
 
    
 　　第二梯队
 
    
 　　除了由新南威尔士大学的博士们组成的"学院派"，国内光伏产业土生土长的第二梯队也开始显露头角。
 
    
 　　陆永华是林洋新能源的大老板，光伏行业的发展迅速让他极为震惊。1996年他成立林洋电子制造电能表，2004年8月投资成立林洋新能源，两年之后林洋新能源的营业收入就达到6000万美元。这个数字是他苦心经营电能表10年才能达到的，更不要说林洋新能源的上市让他的财富迅速膨胀。
 
    
 　　为了将更多资源集中到新能源产业中来，他在林洋上市之后亲自担任CEO的职位。但在2007年1月8日林洋上市庆功晚会上，最引人注目的并不是大老板陆永华，而是帮助他实现飞跃的王汉飞。
 
    
 　　王汉飞曾经是尚德施正荣最得力的助手。2001年9月，王汉飞正式加盟无锡尚德时，这家公司在科技创业园里只租用了两间办公室，员工主要是董事长李延人带来的行政人员和施正荣从澳大利亚带来的技术人员，公开招聘的高管人员只有王汉飞一人。
 
    
 　　在尚德的困难时期，人员流动非常严重，包括施正荣带来的一些技术人员也纷纷离职，但王汉飞一直与施正荣并肩作战，一起度过了最艰苦的几年。也正因此，即使在王汉飞离职之后，他与施正荣仍然保持着兄弟般的友谊。王汉飞家住无锡，每次从启东回家，如果有机会两人总是会见上一面。
 
    
 　　2005年5月，王汉飞受陆永华邀请加盟林洋新能源担任CEO，在他的努力之下，林洋在上市之前，已经具有60兆瓦的产能。"尚德4年时间达到的成果，我们差不多用两年的时间就达到了。"王汉飞说。
 
    
 　　在光伏产业，谁先上市谁就能在未来竞争中占据有利位置。王汉飞也相信这个道理，美国上市无疑会增强林洋在国际上的品牌影响力，对公司的海外销售有极大的促进作用。也正因此，王汉飞制定2007年产量达到100兆瓦的生产目标，而百级兆瓦的产量无疑是国内许多企业难以突破的节点。
 
    
 　　他利用上市融资1.5亿美元，迅速扩大产业规模。2007年第二季度，林洋另外两条30兆瓦的生产线就会建成投产，产能将迅速提高到120兆瓦，到年底，王汉飞还要将这个数字调整到240兆瓦。他同时还要将产品的平均转换效率从16.5%提高到16.8%。董事会给他设定的目标是保三争二，尚德是国际光伏产业的第一阵营，而国内二线的光伏企业还处于混乱状态。王汉飞相信2007年处于二线的光伏企业的排名将会明晰起来。
 
    
 　　同样希望在二线脱颖而出的还有常州天合，董事长高纪凡2006年以20亿元的收入，位居胡润能源富豪榜第9位，他也是最早在光伏产业中淘金的人。
 
    
 　　2002年原国家计委启动"西部省区无电乡通电计划"，通过光伏发电的方式，解决西部地区用电问题。常州天合负责西藏40座共计715KW光伏电站的建设，被国内同行业称为太阳能光伏产业的一匹"黑马"。2005年公司又被国家发改委全球环境基金、世界银行列为中国可再生能源发展项目的支持对象。此后，天合把光伏产业链从上游的硅切片延伸到太阳能电池以及组件安装等各个链条，虽然每一个环节都不是最强，但却是产业链最为完整的国内光伏企业之一。
 
    
 　　胡宏勋一直都在为上海交大国飞绿色能源公司错过大发展的时机而感到惋惜。2003年的交大国飞已经盖起来1万平方米的厂房，生产设备全部到位，而那时的尚德只有2000多平方米的厂房，但是交大国飞没有等到德国光伏市场启动的那一天，相差只有3个月的时间。胡宏勋也就是在2003年底辞去交大国飞总经理职位的。
 
    
 　　他现在的职务是杉杉尤利卡太阳能公司总经理。2005年7月25日，正在寻找高科技投资项目的宁波杉杉，与胡宏勋共同投资组建宁波杉杉尤利卡太阳能科技发展有限公司。杉杉投资控股及杉杉股份出资占据公司73.31%的股份，胡宏勋以及技术团队以现金和技术入股占据公司26.69%的股份。一年时间内杉杉尤利卡建成了两条晶体硅生产线，2006年实现销售收入1.5亿元。
 
    
 　　胡是国内资深的光伏专家，他的成就在非晶硅薄膜太阳能电池方面。上世纪80年代他将非晶硅薄膜太阳能电池的转换率提高到10%以上，接近当时的国际水平。也正因此，杉杉尤里卡的价值实际上还是在非晶硅薄膜电池上。胡宏勋已经在宁波的杉杉工业园购置160亩土地，2007年将上马2条非晶硅薄膜电池生产线。
 
    
 　　胡宏勋认为薄膜技术将取代晶体硅成为太阳能技术的主流趋势，"2006年世界的高纯硅的产能大概3.5万吨，2007年估计会达到4.5万吨左右，即使全部用来做太阳能电池，也只能做3000多兆瓦，而且它大部分还要供给半导体行业，因此依靠硅材料很难支撑光伏产业的发展"。实际上，施振荣在新南威尔士大学就是从事多晶硅薄膜电池研究的，而现在尚德同样把多晶硅薄膜电池作为公司未来发展的重点。但较单晶硅太阳能电池来说，薄膜太阳能电池光转换率相对比较低，实验室里也只能达到14%，大规模稳定生产的转换率不足10%，其最大的缺点是稳定性比较差，电池寿命相对较短，还有大量技术难关需要突破。<br /><hr /> Orignal From: <a href="http://www.rayscience.com/blog/?p=103" target=_blank>施正荣和他的同行者</a><br />

太阳能技术

<table border="2" width="648" cellPadding="2" cellSpacing="1" borderColor="#108f83">
<tr>
<td width="168" class="STYLE1Copy">曲格平
Qu Geping，</td>
<td width="252" class="STYLE1Copy">中华环境保护基金会理事长
Board Chairman, China Environmental Protection Foundation</td>
<td width="228" vAlign="top" class="STYLE1Copy">环保与能源的协调发展主旨演讲
The Harmonious Development of Environmental Protection and Energy Resources</td>
</tr>
<tr>
<td width="168" class="STYLE1Copy">马丁·格林
Martin A. Green　</td>
<td width="252" class="STYLE1Copy">澳大利亚新南威尔斯大学教授，超高效光伏研究中心执行研究主任
Professor of University of New South Wales, Australia. Executive Research Director of the University's Center of Excellence for Advanced Silicon PV</td>
<td width="228" vAlign="top" class="STYLE1Copy">第三代太阳电池的进展
The Progress of the 3rd Generation Solar Cell</td>
</tr>
<tr>
<td width="168" class="STYLE1Copy">Heinz Kundert</td>
<td width="252" class="STYLE1Copy">SEMI欧洲总裁，SEMI全球执行副总裁
President of SEMI Europe, Executive Vice President of Global SEMI</td>
<td width="228" vAlign="top" class="STYLE1Copy">欧洲光伏产业的技术发展趋势
The Developing Trend of European PV Industry Technology</td>
</tr>
<tr>
<td width="168" class="STYLE1Copy">戴 柳
Dai Liu</td>
<td width="252" class="STYLE1Copy">上海世博（集团）有限公司董事长
Board Chairman, World Expo (Group) Co., Ltd</td>
<td width="228" vAlign="top" class="STYLE1Copy">2010年上海世博会能源规则及环保与太阳能利用工程项目信息发布
2010 World Expo (Shanghai) Energy Rule and Environmental Protection &amp; Solar Energy Utilization Projects Information Issuing</td>
</tr>
<tr>
<td width="168" class="STYLE1Copy">陆晓春
Lu Xiao chun</td>
<td width="252" class="STYLE1Copy">上海市科学技术委员会副主任
Vice Director of Shanghai Science and Technology Committee</td>
<td width="228" vAlign="top" class="STYLE1Copy">上海市开发利用太阳能行动计划实施情况介绍
Introduction of the Implementation on the Development and Application of "Solar Action Plan"</td>
</tr>
<tr>
<td width="168" class="STYLE1Copy">Frank Haugwitz</td>
<td width="252" class="STYLE1Copy">德国GTZ技术合作公司可再生能源技术顾问
Expert of Deutsche Gesellschaft fur Technische Zusammenarbeit (GTZ) GmbH</td>
<td width="228" vAlign="top" class="STYLE1Copy">可再生能源在德国的推广利用
Popularization and Utilization of Renewable Energy in Germany</td>
</tr>
<tr>
<td width="168" class="STYLE1Copy">李俊峰　
Li Junfeng</td>
<td width="252" class="STYLE1Copy">中国资源综合利用协会可再生能源专业委员会秘书长
Secretary-General of Renewable Energy Professional Committee of Chinese Association of Resource Comprehensive Utilization</td>
<td width="228" vAlign="top" class="STYLE1Copy">中国的《可再生能源法》推进及实施步骤
Promotion and Implementation Steps of the "Renewable Energy Law" in China</td>
</tr>
<tr>
<td width="168" class="STYLE1Copy">施正荣
Shi Zhengrong</td>
<td width="252" class="STYLE1Copy">无锡尚德太阳能电力有限公司董事长
Founder and CEO of Suntech Power Co., Ltd</td>
<td width="228" vAlign="top" class="STYLE1Copy">让太阳能点亮整个地球
Make PV Power the Globe</td>
</tr>
<tr>
<td width="168" class="STYLE1Copy">阿兰·杜尼奥·迪·克洛
Alain Tournyol du Clos</td>
<td width="252" class="STYLE1Copy">法国驻中国大使馆核顾问
Nuclear Advisor of French Embassy in China</td>
<td width="228" vAlign="top" class="STYLE1Copy">核能：一种有效的能源解决方案　　
Nuclear Energy：One Effective Solution to Energy</td>
</tr>
<tr>
<td width="168" class="STYLE1Copy">赵建华
Zhao Jianhua</td>
<td width="252" class="STYLE1Copy">中电电气（南京）光伏有限公司总经理
General Manager, Chinese Electrical Equipment Group</td>
<td width="228" vAlign="top" class="STYLE1Copy">高效率晶体硅太阳电池技术
Technology of Crystal Silicon PV Cell with High Efficiency</td>
</tr>
<tr>
<td width="168" class="STYLE1Copy">赵玉文
Zhao Yuwen</td>
<td width="252" class="STYLE1Copy">中国可再生能源学会光伏专业委员会主任
Director of PV Professional Committee of Chinese Renewable Energy Society</td>
<td width="228" vAlign="top" class="STYLE1Copy">中国太阳能光伏产业发展概况与思考
Developing Survey and Thinking on China Solar Energy and PV Industry</td>
</tr>
<tr>
<td width="168" class="STYLE1Copy">泰弗·达维斯
Trevor Davies

塞蒙 博纳
Simon Barnard</td>
<td width="252" class="STYLE1Copy">生态能源城市有限公司董事/东安格丽亚大学副总参事
Director, Eco Energy Cities PLC/University of East Anglia Pro-Vice-Chancellor for Research &amp; Knowledge Transfer
生态能源城市有限公司董事/威宁谢工程技术咨询有限公司国际咨询专家
Director, Eco Energy Cities PLC/Partner Davis Langdon &amp; Seah</td>
<td width="228" vAlign="top" class="STYLE1Copy">减碳设计、操作及管理途径的发展与整合
Developing Fully-integrated Approaches to Low Carbon Design, Practice and Management.</td>
</tr>
<tr>
<td width="168" class="STYLE1Copy">阿尔伯特·达鲁逊/大卫　德　蒙特
Albeto R.Dalusung III/David de Montaigne/</td>
<td width="252" class="STYLE1Copy">生态能源城市有限公司执行总裁
Director and Chief Executive of Eco Energy Cities PLC/ Director of Eco Energy Cities PLC</td>
<td width="228" vAlign="top" class="STYLE1Copy">清洁低碳发展是"非常好的生意"
Low Carbon Development is "Good Business"</td>
</tr>
<tr>
<td width="168" class="STYLE1Copy">魏安德
Andreas Widl
孙海燕
Haiyan Sun</td>
<td width="252" class="STYLE1Copy">Oerlikon公司的亚洲执行官
CEO of Oerlikon in Asia
Oerlikon公司的太阳能事业部亚洲区总经理，GM of Solar Energy Department of Oerlikon in Asia</td>
<td width="228" vAlign="top" class="STYLE1Copy">薄膜硅光伏建筑一体化组件的量产化生产方法
The Film Silicon Construction Integration PV Module Quantity Produces</td>
</tr>
<tr>
<td width="168" class="STYLE1Copy">袁晓
Yuan Xiao</td>
<td width="252" class="STYLE1Copy">上海太阳能科技有限公司总经理
General Manager of Shanghai Solar Energy S&amp;T Co., Ltd</td>
<td width="228" vAlign="top" class="STYLE1Copy">太阳能示范工程及并网发电
Solar Energy Demonstration Projects and Incorporation Electricity Generation</td>
</tr>
<tr>
<td width="168" class="STYLE1Copy">甘林
Gan Lin,</td>
<td width="252" class="STYLE1Copy">挪威Oslo 大学国际气候及环境研究所高级研究员
Senior Research Fellow at the Center for International Climate and Environmental Research-Oslo University</td>
<td width="228" vAlign="top" class="STYLE1Copy">中国生物质能的发展与展望
Development and Prospect on China Biomass Energy</td>
</tr>
<tr>
<td width="168" class="STYLE1Copy">小北晴夫
H．Kogita</td>
<td width="252" class="STYLE1Copy">日本京瓷太阳能营业事业部部长
Kyocera（Tianjin）Sales and Trading Coporation，General Manager solar Sales Division</td>
<td width="228" vAlign="top" class="STYLE1Copy">日本光伏工业的现状与展望
Current Status and Future Prospects on Photovoltaic Industry in Japan</td>
</tr>
<tr>
<td width="168" class="STYLE1Copy">赵建平
Zhao Jianping

苗红
Miao hong</td>
<td width="252" class="STYLE1Copy">世界银行驻中国代表处，The World Bank Office Beijing
世界银行中国可再生能源规模化项目办苗红副主任，
Vice Director of China Renewable Energy Scale Programme Office of World Bank</td>
<td width="228" vAlign="top" class="STYLE1Copy">世界银行提供贷款用于扩大中国可再生能源利用规模
The World Bank Loans for Expanding the Utilization Scale of Renewable Energy in China</td>
</tr>
<tr>
<td width="168" class="STYLE1Copy">Frederic Asseline
Mr. Sven Ernedal</td>
<td width="252" class="STYLE1Copy">欧盟可再生能源办公室主任
EU Manager of Renewable Energy</td>
<td width="228" vAlign="top" class="STYLE1Copy">欧盟与中国的环境与能源合作项目
EU-China Energy &amp; Environment Programme</td>
</tr>
<tr>
<td width="168" class="STYLE1Copy">克鲁斯
Horst Kruse</td>
<td width="252" class="STYLE1Copy">德国Schott公司
亚洲光伏太阳能系统部总监
Schott Co., Ltd Germany
Director Export Asia Photovltaics</td>
<td width="228" vAlign="top" class="STYLE1Copy">太阳能光伏发电在城市和农村的应用前景
The Potential of PV Solar Energy for Applications in Urban and Rural Area</td>
</tr>
<tr>
<td width="168" class="STYLE1Copy">昌金铭
Chang Jinming</td>
<td width="252" class="STYLE1Copy">中国光电技术中心主任
Director of China PV Technology Center</td>
<td width="228" vAlign="top" class="STYLE1Copy">国内外光伏发电的新进展
The New Development of PV Industry in China and the World</td>
</tr>
<tr>
<td width="168" class="STYLE1Copy">陈鸣波
Chen Mingbo</td>
<td width="252" class="STYLE1Copy">上海空间电源研究所副所长
Vice Director of Shanghai Institute of Space Power-Sources</td>
<td width="228" vAlign="top" class="STYLE1Copy">太阳电池的新技术和新工艺
New Technology and New Craft of Solar Cell</td>
</tr>
<tr>
<td width="168" class="STYLE1Copy">魏光普
Wei Guangpu</td>
<td width="252" class="STYLE1Copy">上海大学教授、上海市物理学会副理事长，上海市太阳能学会光电专业委员会主任
Professor of Shanghai University; Vice-Chairman of Shanghai Physical Society; Director of PV Professional Committee of Shanghai Solar Energy Society</td>
<td width="228" vAlign="top" class="STYLE1Copy">太阳能利用与阳光经济　　　
Application of Solar Energy and Sunshine Economics</td>
</tr>
<tr>
<td width="168" class="STYLE1Copy">赵春江
Zhao Chunjiang</td>
<td width="252" class="STYLE1Copy">上海交通大学太阳能研究所教授
Solar Energy Research Institute of Shanghai Jiao Tong University</td>
<td width="228" vAlign="top" class="STYLE1Copy">光伏发电系统设计和施工实践
PV Power Electricity Generating Systems Design and Projects Practice</td>
</tr>
<tr>
<td width="168" class="STYLE1Copy">胡宏勋
Hun Hongxun</td>
<td width="252" class="STYLE1Copy">衫衫尤利卡太阳能科技公司总经理
General Manager of Ulica Solar Energy S&amp;T Co., Ltd</td>
<td width="228" vAlign="top" class="STYLE1Copy">非晶硅太阳电池的现状与展望
Current Status and Future Prospects on Non-Crystal Silicon Solar Cell</td>
</tr>
<tr>
<td width="168" class="STYLE1Copy">胡传煜
Hu Chuanyu</td>
<td width="252" class="STYLE1Copy">上海风力发电有限公司总经理高级工程师
Senior Engineer, Assistance of General Manager, Shanghai Wind Power Co., Ltd.</td>
<td width="228" vAlign="top" class="STYLE1Copy">上海风力发电规划
Shanghai Wind Power Generation Regulation</td>
</tr>
<tr>
<td width="168" class="STYLE1Copy">朱元昊
Zhu Yuanhao</td>
<td width="252" class="STYLE1Copy">上海电气交大泰阳绿色能源有限公司总经理
GM of Shanghai Topsolar Energy</td>
<td width="228" vAlign="top" class="STYLE1Copy">产学联手开拓太阳能事业新旅程
New Journey on Developing Solar Industry United by Production and Education</td>
</tr>
<tr>
<td width="168" class="STYLE1Copy">Nils Jabs
Patrick Gavin Matweew</td>
<td width="252" class="STYLE1Copy">德国Schuco太阳能营业事业部部长
Head of Purchasing Department Solar, Schuco Sales and Trading Coporation，Germany,</td>
<td width="228" vAlign="top" class="STYLE1Copy">德国近几年光伏发电的进展
The Development of PV in Recent Years in Germany</td>
</tr>
<tr>
<td width="168" class="STYLE1Copy">王汉飞
Wang Hanfei
王玉亭
Wang Yuting</td>
<td width="252" class="STYLE1Copy">江苏林洋新能源公司
Jiangsu LinYang New Energy Co., Ltd</td>
<td width="228" vAlign="top" class="STYLE1Copy">太阳能光伏并网系统与技术
Systems and Technology Of Solar Energy and PV Grid Incorporation
晶体硅太阳电池生产工艺控制
Crystal Silicon Solar Cell Production Craft Control</td>
</tr>
<tr>
<td width="168" class="STYLE1Copy">崔国安
Cui Guoan</td>
<td width="252" class="STYLE1Copy">上海迪光功能材料研究中心总经理
General Manager of Shanghai Di Guang Functional Material Research Center</td>
<td width="228" vAlign="top" class="STYLE1Copy">节能绝热材料的技术进程
The Technology Progress of Energy Saving and Thermal-Insulating Materials</td>
</tr>
<tr>
<td width="168" class="STYLE1Copy">木村宗光</td>
<td width="252" class="STYLE1Copy">大和房屋建筑公司总经理
GM of Dawa House Construction Co.</td>
<td width="228" vAlign="top" class="STYLE1Copy">日本住宅能源的节省性能
Energy Saving Performance on Japanese Houses</td>
</tr>
<tr>
<td width="168" class="STYLE1Copy">中岛武</td>
<td width="252" class="STYLE1Copy">日本三洋公司先进能源研究所
Advanced Energy Research Institute of Japan Sanyo Company</td>
<td width="228" vAlign="top" class="STYLE1Copy">高性能HIT太阳电池的特性及其应用前景
The Quality of HIT Solar Cell with High Performance and the Application Prospects</td>
</tr>
<tr>
<td width="168" class="STYLE1Copy">列别捷夫·尤里·阿尔伏列多维奇
Lebedev Yuri</td>
<td width="252" class="STYLE1Copy">俄罗斯创新联盟"引导集团"的总裁
President of Russian " Leader Group" of Innovation Alliance</td>
<td width="228" vAlign="top" class="STYLE1Copy">俄中在环保、节能和新技术方面引进高科技合作的前景
Prospect on Sino-Russia Cooperation on Introducing High-technology on Environment Protection, Energy Saving and New Technology</td>
</tr>
<tr>
<td width="168" class="STYLE1Copy">吴之光
Wu Zhiguang</td>
<td width="252" class="STYLE1Copy">中国建筑学会副理事长;上海建筑学会理事长
Vice President of Architectural Society of China; President of Shanghai Architectural Society</td>
<td width="228" vAlign="top" class="STYLE1Copy">上海的环保与建筑
Environment Protection &amp; Architecture in Shanghai</td>
</tr>
<tr>
<td width="168" class="STYLE1Copy">张健
Zhang jian</td>
<td width="252" class="STYLE1Copy">中国城市规划学会风景环境规划设计学术委员会副主任上海交通大学教授
Vice Director of China Urban Planning Academic Society Scenery Environment Plan Design Academic Committee; Professor of Shanghai Jiao Tiao University</td>
<td width="228" vAlign="top" class="STYLE1Copy">现代建筑的原生态理念
Primary Ecology Principle of Modern Architectures</td>
</tr>
<tr>
<td width="168" class="STYLE1Copy">F. Mazzoleni</td>
<td width="252" class="STYLE1Copy">意大利3V Tech 集团总裁
3V Tech Group, Bergamo - Italy</td>
<td width="228" vAlign="top" class="STYLE1Copy">通过TOP湿氧氧化最终处理和回收污泥
Final Treatment and Reclamation of Wastewater Sludge by TOP Wet Oxidation</td>
</tr>
<tr>
<td width="168" class="STYLE1Copy">陈一文
Chen Yiwen</td>
<td width="252" class="STYLE1Copy">中国地球物理学会天灾预测专业委会顾问 ，中国灾害防御协会灾害史研究专业委员会 顾问
Advisor of Disaster Forecasts Professional Committee of the China Geophysics Academic Society;
Advisor of the Disaster History Research Professional Committee of Chinese Disaster Defends Association</td>
<td width="228" vAlign="top" class="STYLE1Copy">对所有传统能源与所有新型替代能源进行综合分析科学评价的十八项评价指标；
18 Evaluation Indexes of Scientifically Comprehensive Analysis of Traditional Energy and New Alternative Energy Source</td>
</tr>
<tr>
<td width="168" class="STYLE1Copy">严建华
Yan Jianhua</td>
<td width="252" class="STYLE1Copy">浙江大学热物理国家重点实验室主任
Director of Thermal Physics National Key Laboratory, Zhejiang University</td>
<td width="228" vAlign="top" class="STYLE1Copy">千吨级垃圾发电技术的推广与应用
Popularization and Application of Ten-millions of Rubbish Electricity Generation</td>
</tr>
<tr>
<td width="168" class="STYLE1Copy">钟伯强
Zhong Boqiang</td>
<td width="252" class="STYLE1Copy">中国科学院上海硅酸盐研究所研究员
Researcher of Shanghai Silicate Institute of Chinese Academy of Sciences</td>
<td width="228" vAlign="top" class="STYLE1Copy">薄膜太阳电池
Thin Film Solar Cell</td>
</tr>
</table><br /><hr /> Orignal From: <a href="http://www.rayscience.com/blog/?p=102" target=_blank>太阳能技术</a><br />

我们的博客开通啦，欢迎大家来灌水

我们的博客开通啦，欢迎大家来灌水<br /><hr /> Orignal From: <a href="http://www.rayscience.com/blog/?p=100" target=_blank>我们的博客开通啦，欢迎大家来灌水</a><br />

半导体激光器的工作特性

1．阈值电流。当注入p-n结的电流较低时，只有自发辐射产生，随电流值的增大增益也增大，达阈值电流时，p-n结产生激光。影响阈值的几个因素：

　　（1）晶体的掺杂浓度越大，阈值越小。
　　（2）谐振腔的损耗小，如增大反射率，阈值就低。
　　（3）与半导体材料结型有关，异质结阈值电流比同质结低得多。目前，室温下同质结的阈值电流大于30000A/cm2；单异质结约为8000A/cm2；双异质结约为1600A/cm2。现在已用双异质结制成在室温下能连续输出几十毫瓦的半导体激光器。
　　（4）温度愈高，阈值越高。100K以上，阈值随T的三次方增加。因此，半导体激光器最好在低温和室温下工作。

　　2．方向性。由于半导体激光器的谐振腔短小，激光方向性较差，在结的垂直平面内，发散角最大，可达20°-30°；在结的水平面内约为10°左右。

　　3．效率。量子效率

　　η＝每秒发射的光子数／每秒到达结区的电子空穴对数
　　77K时，GaAs激光器量子效率达70％－80％；300K时，降到30％左右。
　　功率效率η1＝辐射的光功率／加在激光器上的电功率
　　由于各种损耗，目前的双异质结器件，室温时的η1最高10％，只有在低温下才能达到30％－40％。

　　4．光谱特性。由于半导体材料的特殊电子结构，受激复合辐射发生在能带（导带与价带）之间，所以激光线宽较宽，GaAs激光器，室温下谱线宽度约为几纳米，可见其单色性较差。输出激光的峰值波长：77K时为840nm；300K时为902nm。<br /><hr /> Orignal From: <a href="http://www.rayscience.com/blog/?p=99" target=_blank>半导体激光器的工作特性</a><br />

法布里-珀罗(FP-LD)半导体激光器

法布里-珀罗激光器(FP-LD)是最常见、最普通的半导体激光器，它最大的特点是激光器的谐振腔由半导体材料的两个解理面构成。目前光纤通信上采用的FP-LD的制作技术已经相当成熟，普遍采用双异质结多量子阱有源层、载流子与光分别限制的结构。
<span class="px14"><font id="FontSizeSettings4">
    半导体激光器由于边界条件的不同，存在三个方向的模式问题。沿激光器输出方向形成的驻波模式称为纵模，垂直于有源层方向的模式称为垂直横模，平行于有源层并和输出方向垂直的模式称为水平横模。在光通信领域中，至少要求激光器工作在基横模状态。对于FP-LD来说，基横模实现比较容易，主要通过控制激光器有源层的厚度和条宽来实现，常用的结构有掩埋异质结、脊波导等。而纵模控制就有一定的困难，FP-LD利用一对相互平行的反射镜进行纵模选择，通常激光器的长度在数百微米的量级，对应的模式间距为1 nm的量级，而激光器的增益谱宽度达100 nm的量级，多纵模激射的可能性相当大。对于一般的FP-LD，当注入电流在阈值电流附近时，可以观察到多个纵模；进一步加大注入电流，谱峰处的某个波长首先激射，消耗了大部分载流子，压制其它模式的激射，有可能形成单纵模工作；当对FP-LD进行高速调制时，原有的激射模式就会发生变化，出现多模工作。这就决定了FP-LD不能应用于高速光纤通信系统。但是相对其它结构的激光器来说，FP-LD的结构和制作工艺最简单，成本最低，适用于调制速率小于622 Mbit/s的光纤通信系统。目前商用的1.3 ?滋m FP-LD阈值电流在10 mA以下，输出功率在10 mW左右(注入电流为2～3 Ith，Ith为阈值电流)因此在光纤接入网中获得广泛应用。</font></span><span class="px14"><font id="FontSizeSettings4">    目前FP-LD的主要发展趋势在于研发无制冷器件和进一步降低制作成本。传统的FP-LD的谐振腔通过解理实现，在性能<a target="_blank" href="http://info.broadcast.hc360.com/html/cpzt_cs.htm">测试</a>的时候需要对解理过的单个尺寸为数百微米量级的激光器进行操作，生产效率较低。如果能用其他方法形成反射镜面，然后在整个衬底上对单个激光器进行测试，则大大提高生产效率并降低成本。采用等离子体刻蚀的方法可以获得垂直光滑的反射镜面，使得这种激光器和传统的端面解理的FP-LD具有相同的性能，并且可以在同一衬底上将激光器和光探测器集成，从而形成了基于整个衬底的激光器加工工艺路线，有可能大大降低成本。

</font></span><br /><hr /> Orignal From: <a href="http://www.rayscience.com/blog/?p=98" target=_blank>法布里-珀罗(FP-LD)半导体激光器</a><br />

日亚化学利用半导体激光器开发出高亮度白色光源

日亚化学工业日前使用GaN类半导体激光器，开发出了亮度接近1000万cd/m2的白色光源。亮度值与高档卤素灯和通用HID灯（高强度放电灯）大体相当。比通常称为点光源的白色发光二极管（LED）高出1位数。可由直径仅1.25mm的圆形出射面得到光通量50lm的白色光。将作为卤素灯和HID灯的替代产品，于2005年下半年开始供应样品。这种白色光源计划将在2005年4月20日～22日于东京BigSight国际会展中心举办的"第15届平板显示器研究开发暨制造技术展"上进行展示。 
<object classid="clsid:D27CDB6E-AE6D-11cf-96B8-444553540000" vspace="6" align="left" width="280" hspace="6" height="220" codeBase="http://download.macromedia.com/pub/shockwave/cabs/flash/swflash.cab#version=6,0,29,0" id="ShockwaveFlash1">
<param name="_cx" value="7408"></param>
<param name="_cy" value="5821"></param>
<param name="FlashVars"></param>
<param name="Movie" value="http://www.laser.hc360.com/images/ad/ymend360_300.swf"></param>
<param name="Src" value="http://www.laser.hc360.com/images/ad/ymend360_300.swf"></param>
<param name="WMode" value="Window"></param>
<param name="Play" value="0"></param>
<param name="Loop" value="-1"></param>
<param name="Quality" value="High"></param>
<param name="SAlign"></param>
<param name="Menu" value="-1"></param>
<param name="Base"></param>
<param name="AllowScriptAccess"></param>
<param name="Scale" value="ShowAll"></param>
<param name="DeviceFont" value="0"></param>
<param name="EmbedMovie" value="0"></param>
<param name="BGColor"></param>
<param name="SWRemote"></param>
<param name="MovieData"></param>
<param name="SeamlessTabbing" value="1"></param>
<param name="Profile" value="0"></param>
<param name="ProfileAddress"></param>
<param name="ProfilePort" value="0"></param>
<param name="AllowNetworking" value="all"></param>
<param name="AllowFullScreen" value="false"></param></object><span class="px14"><font id="FontSizeSettings4">
　　这次的白色光源首先可得到由采用GaN类材料的蓝色半导体激光器或者蓝紫色半导体激光器射出的光，配合使用对激光器射出的光进行波长转换的荧光材料，便能得到白色光。白色光源由配置半导体激光器的光源部分，和其中一头是涂有荧光材料的发光面的光纤组成。使用光学透镜，将半导体激光器射出的光射入光纤后，就会由光纤另一头涂有荧光材料的发光面将光传播到外部。由于光纤从机械特性上来说很柔软，而且长度能够达到数米，因此通过弯曲光纤，就能将发光面配置到和光源部分不同的位置处。发光时会发热的光源部分由于能够配置在发光面以外的其他位置，因此利用风扇和帕尔贴元件给发光面散热的必要性非常小。 

　　半导体激光器以连续振荡的方式来使用。连续振荡时的功率为200mW左右。使用蓝色半导体的品种发光效率为35lm/W。+4.7V输入电压和300mA输入电流的条件下可得到50lm的光通量。采用蓝紫色半导体激光器的品种发光效率为18lm/W。在+3.7V输入电压和150mA的条件下，可发出光通量10lm的光。平均演色性指数（Ra）方面，采用蓝色半导体激光器的品种为72，采用蓝紫色半导体激光器的品种为87。</font></span><br /><hr /> Orignal From: <a href="http://www.rayscience.com/blog/?p=97" target=_blank>日亚化学利用半导体激光器开发出高亮度白色光源</a><br />

半导体激光器的发展及其应用

半导体激光器是以直接带隙半导体材料构成的Pn结或Pin结为工作物质的一种小型化激光器.半导体激光工作物质有几十种，目前已制成激光器的半导体材料有砷化稼(GaAs)、砷化锢(InAs)、锑化锢(InSb)、硫化锅(cds)、蹄化福(CdTe)、硒化铅(PbSe)、啼化铅(PhTe)、铝稼砷(A1xGa-As)、锢磷砷(In-PxAS)等.

    半导体激光器的激励方式主要有三种，即电注人式、光泵式和高能电子束激励式.

    绝大多数半导体激光器的激励方式是电注入，即给Pn结加正向电压，以使在结平面区域产生受激发射，也就是说是个正向偏置的二极管，因此半导体激光器又称为半导体激光二极管.对半导体来说，由于电子是在各能带之间进行跃迁，而不是在分立的能级之间跃迁，所以跃迁能量不是个确定值，这使得半导体激光器的输出波长展布在一个很宽的范围上.它们所发出的波长在3-34pm之间.其波长范围决定于所用材料的能带间隙，最常见的是AlGaA:双异质结激光器，其输出波长为750-890nm.

    世界上第一只半导体激光器是1962年问世的，经过几十年来的研究，半导体激光器得到了惊人的发展，它的波长从红外、红光到蓝绿光，被盖范围逐渐扩大，各项性能参数也有了很大的提高，其制作技术经历了由扩散法到液相外延法(LPE)，气相外延法(VPE)，分子束外延法(MBE),MOCVD方法(金属有机化合物汽相淀积)，化学束外延(CBE)以及它们的各种结合型等多种工艺.其激射闭值电流由几百mA降到几十mA，直到亚mA，其寿命由几百到几万小时，乃至百万小时从最初的低温(77K)下运转发展到宰la下连续工作，输出功率由几毫瓦提高到千瓦级(阵列器件)它具有效率高、体积小、重量轻、结构简单、能将电能直接转换为激光能、功率转换效率高(已达10%以上、最大可达50%).便于直接调制、省电等优点，因此应用领域日益扩大.目前，固定波长半导体激光器的使用数量居所有激光器之首，某些重要的应用领域过去常用的其他激光器，已逐渐为半导体激光器所取代.

    半导体激光器最大的缺点是:激光性能受温度影响大，光束的发散角较大(一般在几度到20度之间)，所以在方向性、单色性和相干性等方面较差.但随着科学技术的迅速发展，半导体激光器的研究正向纵深方向推进，半导体激光器的性能在不断地提高.目前半导体激光器的功率可以达到很高的水平，而且光束质量也有了很大的提高.以半导体激光器为核心的半导体光电子技术在21世纪的信息社会中将取得更大的进展，发挥更大的作用.

    本文对半导体激光器的工作原理、发展历史和应用前景作一简略的介绍.

    2  半导体激光器的工作原理

    半导体激光器是一种相干辐射光源，要使它能产生激光，必须具备三个基本条件:(1)增益条件:建立起激射媒质(有源区)内载流子的反转分布。在半导体中代表电子能量的是由一系列接近于连续的能级所组成的能带，因此在半导体中要实现粒子数反转，必须在两个能带区域之间，处在高能态导带底的电子数比处在低能态价带顶的空穴数大很多，这靠给同质结或异质结加正向偏压，向有源层内注人必要的载流子来实现，将电子从能量较低的价带激发到能量较高的导带中去.当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时，便产生受激发射作用.

    (2)要实际获得相干受激辐射，必须使受激辐射在光学谐振腔内得到多次反馈而形成激光振荡，激光器的谐振腔是由半导体晶体的自然解理面作为反射镜形成的，通常在不出光的那一端镀上高反多层介质膜，而出光面镀上减反膜.对F-p腔(法布里一拍罗腔)半导体激光器可以很方便地利用晶体的与P一n结平面相垂直的自然解理面构成F一P腔.

    (3)为了形成稳定振荡，激光媒质必须能提供足够大的增益，以弥补谐振腔引起的光损耗及从腔面的激光输出等引起的损耗，不断增加腔内的光场.这就必须要有足够强的电流注入，即有足够的粒子数反转，粒子数反转程度越高，得到的增益就越大，即要求必须满足一定的电流阀值条件.当激光器达到阀值，具有特定波长的光就能在腔内谐振并被放大，最后形成激光而连续地输出.可见在半导体激光器中，电子和空穴的偶极子跃迁是基本的光发射和光放大过程对于新型半导体激光器而言，人们目前公认量子阱是半导体激光器发展的根本动力.量子线和量子点能否充分利用量子效应的课题已延至本世纪，科学家们已尝试用自组织结构在各种材料中制作量子点，而GaInN量子点已用于半导体激光器.另外，科学家也已经做出了另一类受激辐射过程的量子级联激光器，这种受激辐射基于从半导体导带的一个次能级到同一能带更低一级状态的跃迁，由于只有导带中的电子参与这种过程，因此它是单极性器件.

    3  半导体激光器的发展历史

    20世纪60年代初期的半导体激光器是同质结型激光器，它是在一种材料上制作的pn结二极管在正向大电流注人下，电子不断地向p区注人，空穴不断地向n区注入.于是，在原来的pn结耗尽区内实现了载流子分布的反转，由于电子的迁移速度比空穴的迁移速度快，在有源区发生辐射、复合，发射出荧光，在一定的条件下发生激光，这是一种只能以脉冲形式工作的半导体激光器.

    半导体激光器发展的第二阶段是异质结构半导体激光器，它是由两种不同带隙的半导体材料薄层，如G&amp;As, GaAlAs所组成，最先出现的是单异质结构激光器(1969年).单异质结注人型激光器(SHLD)是利用异质结提供的势垒把注入电子限制在GaAsP一N结的P区之内，以此来降低阀值电流密度，其数值比同质结激光器降低了一个数量级，但单异质结激光器仍不能在室温下连续工作.

    1970年，实现了激光波长为9000A.室温连续工作的双异质结GaA(砷化稼一稼铝砷)激光器.双异质结激光器(DHL)的诞生使可用波段不断拓宽，线宽和调谐性能逐步提高，其结构的特点是在P型和n型材料之间生长了仅有0.2Eam厚的，不掺杂的，具有较窄能隙材料的一个薄层，因此注人的载流子被限制在该区域内(有源区)，因而注人较少的电流就可以实现载流子数的反转.在半导体激光器件中，目前比较成熟、性能较好、应用较广的是具有双异质结构的电注人式G&amp;A。二极管激光器.

    随着异质结激光器的研究发展，人们想到如果将超薄膜(&lt;20nm)的半导体层作为激光器的激括层，以致于能够产生量子效应，结果会是怎么样?再加之由于MBE,MOCVD技术的成就，于是，在1978年出现了世界上第一只半导体量子阱激光器(QWL)，它大幅度地提高了半导体激光器的各种性能.后来，又由于MOCVD,MBE生长技术的成熟，能生长出高质量超精细薄层材料，之后，便成功地研制出了性能更加良好的量子阱激光器，量子阱半导体激光器与双异质结(DH)激光器相比，具有阑值电流低、输出功率高，频率响应好，光谱线窄和温度稳定性好和较高的电光转换效率等许多优点.

    QWL在结构上的特点是它的有源区是由多个或单个阱宽约为100人的势阱所组成，由于势阱宽度小于材料中电子的德布罗意波的波长，产生了量子效应，连续的能带分裂为子能级.因此，特别有利于载流子的有效填充，所需要的激射阅值电流特别低.半导体激光器的结构中应用的主要是单、多量子阱，单量子阱(SQW)激光器的结构基本上就是把普通双异质结(DH)激光器的有源层厚度做成数十nm以下的一种激光器，通常把势垒较厚以致于相邻势阱中电子波函数不发生交迭的周期结构称为多量子阱(MQW).量子阱激光器单个输出功率现已大于1w，承受的功率密度已达lOMW/cm3以上而为了得到更大的输出功率，通常可以把许多单个半导体激光器组合在一起形成半导体激光器列阵。

    因此，量子阱激光器当采用阵列式集成结构时，输出功率则可达到l00w以上.近年来，高功率半导体激光器(特别是阵列器件)飞速发展，已经推出的产品有连续输出功率5W,10W,20W和30W的激光器阵列.脉冲工作的半导体激光器峰值输出功率50w，120W和1500W的阵列也已经商品化.一个4.5cm×9cm的二维阵列，其峰值输出功率已经超过45BW.峰值输出功率为350KW的二维阵列也已间世，从20世纪70年代末开始，半导体激光器明显向着两个方向发展，一类是以传递信息为目的的信息型激光器.另一类是以提高光功率为目的的功率型激光器.在泵浦固体激光器等应用的推动下，高功率半导体激光器(连续输出功率在100以上，脉冲输出功率在5W以上，均可称之谓高功率半导体激光器)在20世纪90年代取得了突破性进展，其标志是半导体激光器的输出功率显著增加，国外千瓦级的高功率半导体激光器已经商品化，国内样品器件输出已达到600W[61.如果从激光波段的被扩展的角度来看，先是红外半导体激光器，接着是670nm红光半导体激光器大量进人应用，接着，波长为650nm,635nm的问世，蓝绿光、蓝光半导体激光器也相继研制成功，l0mw量级的紫光乃至紫外光半导体激光器，也在加紧研制中为适应各种应用而发展起来的半导体激光器还有可调谐半导体激光器，电子束激励半导体激光器以及作为"集成光路"的最好光源的分布反馈激光器(DFB一LD)，分布布喇格反射式激光器(DBR一LD)和集成双波导激光器.另外，还有高功率无铝激光器(从半导体激光器中除去铝，以获得更高输出功率，更长寿命和更低造价的管子)、中红外半导体激光器和量子级联激光器等等.其中，可调谐半导体激光器是通过外加的电场、磁场、温度、压力、掺杂盆等改变激光的波长，可以很方便地对输出光束进行调制.分布反馈(DFB)式半导体激光器是伴随光纤通信和集成光学回路的发展而出现的，它于1991年研制成功，分布反馈式半导体激光器完全实现了单纵模运作，在相干技术领域中又开辟了巨大的应用前景它是一种无腔行波激光器，激光振荡是由周期结构(或衍射光栅)形成光藕合提供的，不再由解理面构成的谐振腔来提供反馈，优点是易于获得单模单频输出，容易与纤维光缆、调制器等辆合，特别适宜作集成光路的光源.

    单极性注入的半导体激光器是利用在导带内(或价带内)子能级间的热电子光跃迁以实现受激光发射，自然要使导带和价带内存在子能级或子能带，这就必须采用量子阱结构.单极性注人激光器能获得大的光功率输出，是一种商效率和超商速响应的半导体激光器，并对发展硅基激光器及短波激光器很有利.量子级联激光器的发明大大简化了在中红外到远红外这样宽波长范围内产生特定波长激光的途径.它只用同一种材料，根据层的厚度不同就能得到上述波长范围内的各种波长的激光.同传统半导体激光器相比，这种激光器不需冷却系统，可以在室温下稳定操作.低维(量子线和量子点)激光器的研究发展也很快，日本okayama的GaInAsP/Inp长波长量子线(Qw+)激光器已做到90kCW工作条件下Im  =6A,l=37A/cm2并有很高的量子效率.众多科研单位正在研制自组装量子点(QD)激光器，目前该QDLD已具有了高密度，高均匀性和高发射功率.由于实际需要，半导体激光器的发展主要是围绕着降低阔值电流密度、延长工作寿命、实现室温连续工作，以及获得单模、单频、窄线宽和发展各种不同激射波长的器件进行的.

    20世纪90年代出现并特别值得一提的是面发射激光器(SEL)，早在1977年，人们就提出了所谓的面发射激光器，并于1979年做出了第一个器件，1987年做出了用光泵浦的780nm的面发射激光器.1998年GaInAIP/GaA。面发射激光器在室温下达到亚毫安的网电流,8mW的输出功率和11%的转换效率。前面谈到的半导体激光器，从腔体结构上来说，不论是F一P(法布里一泊罗)腔或是DBR(分布布拉格反射式)腔，激光输出都是在水平方向，统称为水平腔结构.它们都是沿着衬底片的平行方向出光的.而面发射激光器却是在芯片上下表面镀上反射膜构成了垂直方向的F一p腔，光输出沿着垂直于衬底片的方向发出，垂直腔面发射半导体激光器(VCSEIS)是一种新型的量子阱激光器，它的激射阔值电流低，输出光的方向性好，藕合效率高，能得到相当强的光功率输出，垂直腔面发射激光器已实现了工作温度最高达71摄氏度. 20世纪90年代末，面发射激光器和垂直腔面发射激光器得到了迅速的发展，且已考虑了在超并行光电子学中的多种应用.980mn,850nm和780nm的器件在光学系统中已经实用化.目前，垂直腔面发射激光器已用于千兆位以太网的高速网络。

    为了满足21世纪信息传输宽带化、信息处理高速化、信息存储大容量以及军用装备小型、高精度化等需要，半导体激光器的发展趋势主要在高速宽带LD、大功率ID,短波长LD,盆子线和量子点激光器、中红外LD等方面.目前，在这些方面取得了一系列重大的成果.

    4  半导体激光器的应用

    半导体激光器是成熟较早、进展较快的一类激光器，由于它的波长范围宽，制作简单、成本低、易于大量生产，并且由于体积小、重量轻、寿命长，因此，品种发展快，应用范围广，目前已超过300种，半导体激光器的最主要应用领域是Gb局域网，850mn波长的半导体激光器适用于)1Gb/s。局域网，1300mn-1550nm波长的半导体激光器适用于1OGb局域网系统.半导体激光器的应用范围覆盖了整个光电子学领域，已成为当今光电子科学的核心技术.半导体激光器在激光测距、激光雷达、激光通信、激光模拟武器、激光警戒、激光制导跟踪、引燃引爆、自动控制、检测仪器等方面获得了广泛的应用，形成了广阔的市场。

    1978年，半导体激光器开始应用于光纤通信系统，半导体激光器可以作为光纤通信的光源和指示器以及通过大规模集成电路平面工艺组成光电子系统.由于半导体激光器有着超小型、高效率和高速工作的优异特点，所以这类器件的发展，一开始就和光通信技术紧密结合在一起，它在光通信、光变换、光互连、并行光波系统、光信息处理和光存贮、光计算机外部设备的光祸合等方面有重要用途.半导体激光器的问世极大地推动了信息光电子技术的发展，到如今，它是当前光通信领域中发展最快、最为重要的激光光纤通信的重要光源.半导体激光器再加上低损耗光纤，对光纤通信产生了重大影响，并加速了它的发展.因此可以说，没有半导体激光器的出现，就没有当今的光通信.GaAs/GaAlA。双异质结激光器是光纤通信和大气通信的重要光源，如今，凡是长距离、大容量的光信息传输系统无不都采用分布反馈式半导体激光器(DFB一LD).半导体激光器也广泛地应用于光盘技术中，光盘技术是集计算技术、激光技术和数字通信技术于一体的综合性技术.是大容t.高密度、快速有效和低成本的信息存储手段，它需要半导体激光器产生的光束将信息写人和读出.

    下面我们具体来看看几种常用的半导体激光器的应用:

    量子阱半导体大功率激光器在精密机械零件的激光加工方面有重要应用，同时也成为固体激光器最理想的、高效率泵浦光源.由于它的高效率、高可靠性和小型化的优点，导致了固体激光器的不断更新.

    在印刷业和医学领域，高功率半导体激光器也有应用.另外，如长波长激光器(1976年，人们用GaInAsP/InP实现了长波长激光器)用于光通信，短波长激光器用于光盘读出.自从NaKamuxa实现了GaInN/GaN蓝光激光器，可见光半导体激光器在光盘系统中得到了广泛应用，如CD播放器，DVD系统和高密度光存储器可见光面发射激光器在光盘、打印机、显示器中都有着很重要的应用，特别是红光、绿光和蓝光面发射激光器的应用更广泛.蓝绿光半导体激光器用于水下通信、激光打印、高密度信息读写、深水探测及应用于大屏幕彩色显示和高清晰度彩色电视机中.总之，可见光半导体激光器在用作彩色显示器光源、光存贮的读出和写人，激光打印、激光印刷、高密度光盘存储系统、条码读出器以及固体激光器的泵浦源等方面有着广泛的用途.量子级联激光的新型激光器应用于环境检测和医检领域.另外,由于半导体激光器可以通过改变磁场或调节电流实现波长调谐，且已经可以获得线宽很窄的激光输出，因此利用半导体激光器可以进行高分辨光谱研究.可调谐激光器是深人研究物质结构而迅速发展的激光光谱学的重要工具大功率中红外(3.5lm)LD在红外对抗、红外照明、激光雷达、大气窗口、自由空间通信、大气监视和化学光谱学等方面有广泛的应用.

    绿光到紫外光的垂直腔面发射器在光电子学中得到了广泛的应用，如超高密度、光存储.近场光学方案被认为是实现高密度光存储的重要手段.垂直腔面发射激光器还可用在全色平板显示、大面积发射、照明、光信号、光装饰、紫外光刻、激光加工和医疗等方面、如前所述，半导体激光器自20世纪80年代初以来，由于取得了DFB动态单纵模激光器的研制成功和实用化，量子阱和应变层量子阱激光器的出现，大功率激光器及其列阵的进展，可见光激光器的研制成功，面发射激光器的实现、单极性注人半导体激光器的研制等等一系列的重大突破，半导体激光器的应用越来越广泛，半导体激光器已成为激光产业的主要组成部分，目前已成为各国发展信息、通信、家电产业及军事装备不可缺少的重要基础器件.

    ----朗讯科技公司下属研发机构贝尔实验室的科学家们近日成功研制出世界上首款能够在红外波长光谱范围内持续可靠地发射光的新型半导体激光器。新设备克服了原有宽带激光发射过程中存在的缺陷，在先进光纤通信和感光化学探测器等领域有着广阔的潜在应用。相关的制造技术可望成为未来用于光纤的高性能半导体激光器的基础。

    ----有关新激光器性质的论文刊登2002年2月21日出版的《自然》杂志上。文章主要作者、贝尔实验室物理学家Claire  Gmachl断言："超宽带半导体激光器可用来制造高度敏感的万用探测器，以探测大气中的细微污染痕迹，还可用于制造诸如呼吸分析仪等新的医疗诊断工具。"

    ----半导体激光器是一种非常方便的光源，具备紧凑、耐用、便携和强大等特点。然而，典型半导体激光器通常为窄带设备，只能以特有波长发出单色光。相比之下，超宽带激光器具有显著的优势，可以同时在更宽的光谱范围内选取波长。制造出可在范围广泛的操作环境下可靠运行的超宽带激光器正是科学家们长久以来追求的一个目标。

    ----为了研制出新型的激光器，贝尔实验室科学家们采用了650余种光子学中使用的标准半导体材料，并将其叠放在一起组成一个"多层三明治"。这些层面共分为36组，其中不同层面组在感光属性方面有着细微的差别，并在特有的短波长范围内生成光，同时与其他各组之间保持透明.所有这些层面组结合在一起，就能发射出宽带激光。

    ----新型激光器隶属于一种称为量子瀑布（QC）激光器的高性能半导体激光器。QC激光器由Federico  Capasso和AlfredCho及其同事于1994年在贝尔实验室发明，其操作过程非常类似于一道电子瀑布。当电流通过激光器时，电子瀑布将沿着能量阶梯奔流而下；每当其撞击一级阶梯时，就会放射出红外光子。这些红外光子在包含电子瀑布的半导体共振器内前后反射，从而激发出其他光子。这一放大过程将产生出很高的输出能量。

    ----超宽带激光器可在6~8微米红外波长范围产生1.3瓦的峰值能量。Gmachl指出："从理论上讲，波长范围可以更宽或更窄。选择6~8微米范围波长发射激光，目的是更令人信服地演示我们的想法。未来，我们可以根据诸如光纤应用等具体应用的特定需求量身定制激光器。<br /><hr /> Orignal From: <a href="http://www.rayscience.com/blog/?p=96" target=_blank>半导体激光器的发展及其应用</a><br />

GaN基半导体激光器仿针与参数优化问题

以上所说的两个软件主要是用于半导体激光器的器件级仿真，而光学方面的仿真功能较弱。美国的Optiwave公司是世界领先的光学软件公司，其产品OptiBPM可以对波导的传输特性进行全面的仿真，同时进行参数优化。其算法非常优化，且界面友好。

    2．GaN基半导体激光器仿真的问题与难点

    半导体激光器是一个典型的受限载流子（电子＋空穴）和光子（不同纵、横模式，受激和自发辐射）系统，GaN基LD的基础结构更是一个大失配的多量子阱体系。这大大增加了GaN基半导体激光器的仿真难度。目前用于开发量子阱激光器二维模拟软件的方法一般采用求解二维电学, 光学, 热学方程, 其中运用增益经验公式或平带增益计算结果。因其方法过于近似化, 不能得到精确的载流子分布。然而，过于精确的求解会使计算量大得惊人，很容易超过目前计算机的计算机极限。

    半导体激光器是一个光、电、热耦合的复杂量子体系，且个物理量之间耦合性非常强。在光存储系统应用中, 要求激光器能工作在0～ 80℃之间. 通过改善激光器的温度特性能确保器件实现高温下稳定工作, 真正达到的实用化。因此温度是一个非常重要的物理量。然而，在半导体激光器中，温度对其它参量的影响非常大。温度对载流子浓度的影响是指数关系，而载流子浓度会影响电流分布，反过来又会影响温度场的分布。这是一个高度非线性的耦合。同时，光场的分布也会影响载流子和温度的分布，这个耦合关系则更为复杂。

    对于GaN基半导体激光器而言，GaN基半导体激光器结构比较复杂，从上到下一般有8~10层材料，而量子阱中更是有很多结构细微的超薄层。整个器件的尺寸差异极大，这在数值计算时容易带来很大的误差。同时，波导中传播模式的问题属于特征值问题，在网格数很多时特征值的求解会变得非常困难，而且由于波的传播是一个无限空间的问题，其特征值的求解往往需要反复迭代，这使求解速度变得非常缓慢。

    GaN基半导体激光器的仿真最大的一个问题在于，GaN基半导体激光器目前的制造工艺还很不完善，器件中存在大量缺陷，这就破坏了仿真的理想假设条件，这给仿真结果的有效性带来了很大的影响。

    针对GaN基半导体激光器的仿真所存在的问题，我们应当对其仿真程序进行针对性优化。首先，我们可以根据一些GaN基半导体激光器实际制造中的情况，作一些合理的简化假设。其次，我们可以对GaN基半导体激光器中特殊的器件结构，如量子阱，设计专门的求解器，加速求解过程。最后，要有效的结合实验结果，不断对仿真程序进行改进。<br /><hr /> Orignal From: <a href="http://www.rayscience.com/blog/?p=95" target=_blank>GaN基半导体激光器仿针与参数优化问题</a><br />

GaN基半导体激光器仿针与参数优化问题

GaN半导体材料的商业应用研究开始于1970年，其在高频和高温条件下能够激发蓝光的独特性质从一开始就吸引了半导体开发人员的极大兴趣。由于GaN半导体器件在光显示、光存储、激光打印、光照明以及医疗和军事等领域有着广阔的应用前景，GaN器件的广泛应用将预示着光电信息乃至光子信息时代的来临。因此，以GaN为代表的第三代半导体材料被誉为IT产业新的发动机。近几年世界各国政府有关机构、相关企业以及风险投资公司纷纷加大了对GaN基半导体材料及其器件的研发投入和支持。风险投资机构同样表现出很大的兴趣，近三年内向该领域总计投入了约5亿美元的资金。

    GaN基LD是迄今波长最短的半导体激光器，是光存储技术进一步发展的急需器件，是国家"863"计划攻关的重点项目之一。发光波段在400～ 410nm 的GaN 基蓝紫光激光器是高密度光存储系统中最有希望的光源. 1996年, 日本日亚公司的中村(N akam u ra) 宣布实现室温下连续激射的蓝紫光激光器。此后, GaN 基激光器方面的研究取得一系列的重大突破. 目前, 已经有包括日亚、索尼和Cree 在内的多家公司获得了实用的激光器。GaN 基激光器的设计和制造意义十分重大。而GaN基半导体激光器仿针与参数优化问题成为设计GaN基半导体激光器的关键。

    1．半导体激光器仿真的研究现状

    激光器的模拟方法从早期的一维模拟, 求解泊松方程、载流子连续性方程、波方程、光子速率方程, 发展到二维模拟, 加入热流方程、非线性增益抑制、全矢量波方程。半导体激光器的数值模拟开始于20世纪70年代初。直至80年代初, 半导体激光器的数值模拟还是基于一维和准二维模型之上的。在Wilt 等人的准二维模型中, 对方程在有源区和限制层中的两个方向上进行了分离。自80年代中后期开始出现了二维模拟器。至今, 对半导体激光器的完全三维模拟仍未见报道。

    关于半导体激光器的模拟的方法现在人不断见诸报道。概括的讲，常见的数值方法不外乎有限元法，有限差分法，以及它们针对波传输的优化算法，如BPM。然而，文献上所报道的计算方法往往是针对一些具体问题的，通用性受到限制。量子阱激光器作为光通信和光信息处理系统中的重要器件之一, 研究开发量子阱激光器是信息科学领域的一个重要方面, 其计算机辅助分析与设计也是这个领域的重要研究课题。开发一通用, 精确模拟软件为人们所重视。

    加拿大的CrossLight.Inc公司开发的crosslight软件包是一个强大的用于器件仿真的软件。该软件可以对量子阱激光器的物理行为进行全面的仿真，可以计算如阈值电流、载流子分布、温度常分布等特性。国内一些单位也设计了一些专门针对量子阱激光器的软件，如QWCAD。该软件的模拟方法从早期的一维模拟, 求解泊松方程、载流子连续性方程、波方程、光子速率方程, 发展到二维模拟, 加入热流方程、非线性增益抑制、全矢量波方程。QWCAD 目前对于异质结模拟仍然采用这些方程和模型, 但对于量子阱结构, QWCAD 引入薛定谔方程, 并在模拟过程中调用增益计算模块,处理应变所引发的增益变化。为此付出的代价是模拟速度的降低, 但算法的优化和计算机的迅速发展也会逐步缓解这一问题。<br /><hr /> Orignal From: <a href="http://www.rayscience.com/blog/?p=94" target=_blank>GaN基半导体激光器仿针与参数优化问题</a><br />

半导体激光器原理

光电子学的飞速发展主要是建立在量子力学和材料科学的发展上的，其中尤其瞩目的就是光电子半导体的发展。LED， LD这些神气的电子器件便是这一发展的结果，尤其是近期有机光电材料的发展，更加是极大的推动着光电材料的进步。
<span class="px14"><font id="FontSizeSettings4">
    首先半导体为什么会发光？

    当电子从上面导带跳下来进入价带的时候，损失了一定的能量，这些能量就变成了光子发射出来，通俗的说就是发光了。呵呵：）

    半导体激光器是以直接带隙半导体材料构成的PN 结或PIN 结为工作物质的一种小型化激光器.半导体激光工作物质有几十种，目前已制成激光器的半导体材料有砷化稼(GaAs )、砷化锢(InAs)、氮化镓（GaN)、锑化锢( InSb)、硫化锅( cds )、蹄化福(CdTe )、硒化铅(PbSe)、啼化铅(PhTe )、铝稼砷(A1xGa,-,As)、锢磷砷(In-PxAS)等.

    半导体激光器的激励方式主要有三种，即电注人式、光泵式和高能电子束激励式. 绝大多数半导体激光器的激励方式是电注人，即给Pn 结加正向电压，以使在结平面区域产生受激发射，也就是说是个正向偏置的二极管，因此半导体激光器又称为半导体激光二极管.对半导体来说，由于电子是在各能带之间进行跃迁，而不是在分立的能级之间跃迁，所以跃迁能量不是个确定值，这使得半导体激光器的输出波长展布在一个很宽的范围上.它们所发出的波长在0.3 -34um 之间.其波长范围决定于所用材料的能带间隙，最常见的是AlGaA:双异质结激光器，其输出波长为750 - 890nm. 世界上第一只半导体激光器是1962 年问世的，经过几十年来的研究，半导体激光器得到了惊人的发展，它的波长从红外、红光到蓝绿光，被盖范围逐渐扩大，各项性能参数也有了很大的提高，其制作技术经历了由扩散法到液相外延法(LPE)，气相外延法(VPE)，分子束外延法(MBE),MOCVD 方法(金属有机化合物汽相淀积)，化学束外延(CBE)以及它们的各种结合型等多种工艺.其激射闭值电流由几百mA 降到几十mA，直到亚mA，其寿命由几百到几万小时，乃至百万小时从最初的低温(77K)下运转发展到在常温下连续工作，输出功率由几毫瓦提高到千瓦级(阵列器件)它具有效率高、体积小、重量轻、结构简单、能将电能直接转换为激光能、功率转换效率高(已达10%以上、最大可达50%).便于直接调制、省电等优点，因此应用领域日益扩大.目前，固定波长半导体激光器的使用数量居所有激光器之首，某些重要的应用领域过去常用的其他激光器，已逐渐为半导体激光器所取代.

    半导体激光器最大的缺点是:激光性能受温度影响大，光束的发散角较大(一般在几度到20度之间)，所以在方向性、单色性和相干性等方面较差.但随着科学技术的迅速发展，半导体激光器的研究正向纵深方向推进，半导体激光器的性能在不断地提高.目前半导体激光器的功率可以达到很高的水平，而且光束质量也有了很大的提高.以半导体激光器为核心的半导体光电子技术在21 世纪的信息社会中将取得更大的进展，发挥更大的作用. 主要半导体激光器的工作原理、发展历史和应用前景作一简略的介绍.</font></span><br /><hr /> Orignal From: <a href="http://www.rayscience.com/blog/?p=93" target=_blank>半导体激光器原理</a><br />

电泵浦硅激光器项目挑战III-V族光电材料

麻省理工学院(MIT）微光学技术中心开始一项360万美元、挑战III-V族光电材料的"芯片级纳米光电系统用电泵浦硅激光器"项目，此项目为美国国防部投资的MURI（多学科大学研究启动）计划的一部分。 
<object classid="clsid:D27CDB6E-AE6D-11cf-96B8-444553540000" vspace="6" align="left" width="280" hspace="6" height="220" codeBase="http://download.macromedia.com/pub/shockwave/cabs/flash/swflash.cab#version=6,0,29,0" id="ShockwaveFlash1">
<param name="_cx" value="7408"></param>
<param name="_cy" value="5821"></param>
<param name="FlashVars"></param>
<param name="Movie" value="http://www.laser.hc360.com/images/ad/ymend360_300.swf"></param>
<param name="Src" value="http://www.laser.hc360.com/images/ad/ymend360_300.swf"></param>
<param name="WMode" value="Window"></param>
<param name="Play" value="0"></param>
<param name="Loop" value="-1"></param>
<param name="Quality" value="High"></param>
<param name="SAlign"></param>
<param name="Menu" value="-1"></param>
<param name="Base"></param>
<param name="AllowScriptAccess"></param>
<param name="Scale" value="ShowAll"></param>
<param name="DeviceFont" value="0"></param>
<param name="EmbedMovie" value="0"></param>
<param name="BGColor"></param>
<param name="SWRemote"></param>
<param name="MovieData"></param>
<param name="SeamlessTabbing" value="1"></param>
<param name="Profile" value="0"></param>
<param name="ProfileAddress"></param>
<param name="ProfilePort" value="0"></param>
<param name="AllowNetworking" value="all"></param>
<param name="AllowFullScreen" value="false"></param></object><span class="px14"><font id="FontSizeSettings4"> 
    虽然目前英特尔公司已开发出光泵浦硅激光器，但由于硅的间接能带隙特性，实现电泵浦型似乎还遥遥无期。但如果硅能以这种方式发射激光，将对III-V族光电材料形成巨大的冲击。
 
    由Lionel Kimerling（MIT材料加工中心与微光学中心主任）领导的合作研究小组列举了电泵浦激光器技术的优点：能以光学方式连接磁心存储器或芯片的存储器部分，在加快片内通信速度的同时降低功率要求；可利用激光器将芯片与其他外部设备相连，开创芯片设计的又一全新领域（在同一芯片上使用同一工具组就可对包括激光器的光学器件和晶体管进行加工处理）。
 
    研究小组目前锁定两种制备电泵浦硅激光器的方法：一，在SiO₂或Si₃N₄介电矩阵的基础上（此环境可有效激活铒的发光能力），将纳米晶体硅与铒掺杂制备光波1550nm的光源。电子-空穴对可在纳米晶体上被捕获并重新结合，释放出的能量在有效地传递给铒原子后生成1550nm的光。此方法的关键之一为利用光学谐振腔来实现光放大，但问题在于如何在室温下成功实现谐振发射呢；另一个方法就是在硅上沉积锗做为直接能带隙活性激光材料。此方法可在毫瓦级功耗上制备大功率激光源，且可与光纤网络集成。 

    小组称，无论采取哪种方法，其目的都是将激光器件与CMOS工艺接轨，使这些光学器件可集成于微芯片上，同时，实现批量生产。</font></span><br /><hr /> Orignal From: <a href="http://www.rayscience.com/blog/?p=92" target=_blank>电泵浦硅激光器项目挑战III-V族光电材料</a><br />

深南玻：大举进军太阳能光伏产业

<font face="宋体">我国规模最大的多晶硅材料项目——拟年产5000吨高纯多晶硅的深南玻（000012、200012）宜昌硅材料基地昨日奠基，南玻大举进军太阳能光伏产业进入实质性阶段。 

　　南玻副董事长兼CEO、宜昌南玻硅材料有限公司董事长曾南表示，南玻集团在宜昌落户的速度之快，堪称一个"神话"。从今年2月下旬南玻与湖北、宜昌的首次接触到奠基开工，只用了半年多一点时间。 

　　该公司负责人介绍，宜昌硅材料基地是在国家大力发展循环经济，开发新能源的产业政策引导下，由南玻与香港华仪有限公司、宜昌力源科技开发有限责任公司共同投资建设的，生产高纯多晶硅材料。项目规划占地为1500亩，总规模为年产5000吨高纯多晶硅。

　　项目一期目标为年产1500吨高纯多晶硅，一期建设计划在两年内完成。公司此前披露，一期工程拟投资7.8亿元,预计投资内部收益率可达49.48%,静态回收期（不含建设期）为2.61年。

　　该项目是宜昌市迄今引进的投资规模最大的工业项目，已被列入湖北省"十一五"计划的三大重点项目之一，也是广东省、深圳市对口支援三峡库区经济发展合作重点项目之一。

　　项目由俄罗斯国家稀有金属研究设计院与中国成达工程公司共同设计，同时融入了世界上先进的工艺及装备。它是南玻、俄罗斯国家稀有金属研究设计院、中国成达工程公司在项目技术上精诚合作的结晶。    

　　目前我国的多晶硅主要依赖进口。由于技术垄断，现在全球90%以上的多晶硅原料由7家企业提供，但这些企业的开工率已达百分之百。多晶硅价格2003年仅为23美元/公斤，今年5月已超过200美元/公斤，多晶硅原料的奇缺成为太阳能光伏产业发展的瓶颈。

　　目前，天威保变（600550）参股公司四川新光硅业的1,000吨多晶硅产业化示范工程项目正在加紧建设中。该项目于2003年7月开始建设，预计2006年底建成投产,2007年达到设计生产能力的90%,2008年达到设计生产能力。资料显示，洛阳中硅公司二期3000吨多晶硅项目已于去年12月开工，云南曲靖爱信硅科技一期3000吨项目也已于今年4月开工，此外还有不少拟建项目。

　　有分析认为，随着湖北宜昌南玻高纯多晶硅材料项目的动工，南玻将在全球多晶硅产业中占有重要一席，并将形成以多晶硅材料为龙头的"高纯多晶硅材料→硅片→电池片→太阳能电池"完整的产业链，成为在全球太阳能电池行业中有重要影响的供应商。

　　9月20日南玻董事会决定，公司非公开发行不超过2.5亿A股，募集资金总额不超过18.629亿元。其中，5.226亿元拟用于宜昌硅基地项目，0.75亿元用于25兆瓦太阳能电池片及封装项目。</font><br /><hr /> Orignal From: <a href="http://www.rayscience.com/blog/?p=91" target=_blank>深南玻：大举进军太阳能光伏产业</a><br />

Aixtron, WEP benefit as Institute buys German

<h3 id="arthead">In brief: Aixtron, Emcore, SiGe Semiconductor</h3>
<p style="margin-top: 0px; padding-top: 0px">17 April 2007</p>
<strong>University of Braunschweig completes installation of a Thomas Swan epitaxy reactor and CV profiler; Emcore buys video transport business Opticomm; SiGe appoints new president and CEO.</strong>

<strong>Aixtron, WEP benefit as Institute buys German</strong>
The University of Braunschweig's prestigious Institute for Semiconductor Technology has been embracing key new technologies to move its research program forward.

The installation of a Thomas Swan "Close Coupled Showerhead" (CCS) reactor, produced by Aachen-based Aixtron, will provide the group with high-quality GaN and ZnO epitaxial materials.

The Institute's Andreas Waag said, "We have been very satisfied with the performance of our existing Aixtron systems. Now we require the newest generation of MOCVD processes for even more sophisticated optoelectronics and nanostructures."

The same group has also purchased a CVP21 profiler from German CV wafer profiling specialists Ingenieurbüro Wolff für Elektronik- und Programmentwicklungen (WEP), for the investigation of layer interfaces and doping levels.

<strong>Emcore close initial $4m Opticomm purchase deal</strong>
US compound semiconductor chip maker Emcore has purchased the San Diego fiber-optic systems business Opticomm.

The initial $4m stock deal may increase in value depending upon additional profit contributed by Opticomm.

Emcore expects the acquired business to be profitable upon completing integration, adding $7m to its annual sales in 2007.

Opticomm's flagship product is the Optiva Platform, a complete system for optical communications, which complements other technologies gained from Emcore's recent purchase of Force Inc.

<strong>New CEO and President at SiGe Semiconductor</strong>
Sohail Khan has been appointed as the chief executive officer and president of Ottawa-based wireless components company SiGe semiconductor.
<table border="0" align="right" cellPadding="3" cellSpacing="3">
<tr>
<td align="center"><a name="sigeceo"></a><a href="http://compoundsemiconductor.net/articles/news/11/4/11/1/sigeceo" title="Sohail Khan"><img border="0" src="http://images.iop.org/objects/compsemi/news/thumb/11/4/11/sigeceo.jpg" alt="Sohail Khan" title="Sohail Khan" /></a>
<small><a href="http://compoundsemiconductor.net/articles/news/11/4/11/1/sigeceo" title="Sohail Khan"><font size="2">Sohail Khan</font></a></small></td>
</tr>
</table>
Coming to the company from an entrepreneurial role with Bessemer Venture Partners, Khan includes a period as president of Lucent's Integrated Circuits – Microelectronics division on his impressive CV, growing SiGe's presence in cellular handsets and base stations.

"I look forward to building on the company's strong foundation of leading technology and hope to expand our market share in wireless applications," Khan said.

<form method="post" action="[object]"><input name="action" type="hidden" /> <input name="channel" type="hidden" /> <input name="type" type="hidden" /> <input name="volume" type="hidden" /> <input name="issue" type="hidden" /> <input name="article" type="hidden" /> <input name="page" type="hidden" /> <input type="submit" class="txt" /> </form><!-- Compsemi.iop.org wrapper HTML/CFML footer fragment --><!-- START FOOTER --><br /><hr /> Orignal From: <a href="http://www.rayscience.com/blog/?p=90" target=_blank>Aixtron, WEP benefit as Institute buys German</a><br />

Institute of Semiconductor Technology, University of Braunschweig orders CV wafer profiler from WEP

<h2>1 May 2007</h2>
<h3></h3>
<h3>Institute of Semiconductor Technology, University of Braunschweig orders CV wafer profiler from WEP</h3>
Germany's Institute of Semiconductor Technology, part of the University of Braunschweig, has ordered a CVP21 electrochemical CV wafer profiler from WEP (Wolff für Elektronik- und Programmentwicklungen) of Furtwangen im Schwarzwald, Germany.

The Institute undertakes research into a broad range of semiconductor materials, including silicon, germanium, silicon carbide, arsenides, phosphides, antimonides, nitrides, and zinc oxide.

The CVP21 measures doping profiles in semiconductor layers by Electrochemical Capacitance Voltage Profiling (ECV Profiling, CV Profiling), and according to WEP it can be used directly after epitaxial growth without the need for a sample preparation. Measurements can be made on wafer samples of up to 8" in diameter, but only a local spot of 1mm² or 10mm² is etched. The CV wafer profiler can check:
<ul>
<li>Doping of layers</li>
<li>Doping gradients</li>
<li>Quality of layer interfaces (also in hetero-structures)</li>
</ul>
<img width="110" src="http://www.rayscience.com/blog/wp-admin/CVP21.jpg" height="272" class="floatRight" />WEP adds that the CVP21's handling of water-based electrolytes is automated; the measurement is completely computer controlled. When the measurement process is complete, the local etch spot is washed and dried automatically with nitrogen.

The CVP21 has a footprint of 60(W) x 80(D) x 195(H)cm, and is also available as a table-top unit.

As well as its CVP21 wafer profiler, WEP offers process control systems and software.

<em>Picture: CVP21 electrochemical CV wafer profiler from WEP</em>

<strong>See related item: </strong>

<a href="http://www.rayscience.com/blog/APR_07/AIXT_170407.htm">University begins operating newly installed Thomas Swan CCS system for GaN/ZnO production </a><br /><hr /> Orignal From: <a href="http://www.rayscience.com/blog/?p=88" target=_blank>Institute of Semiconductor Technology, University of Braunschweig orders CV wafer profiler from WEP</a><br />

生活在富特旺根——安逸的小城

<table border="0" width="100%" cellPadding="0" cellSpacing="0" height="30" style="margin-bottom: 10px">
<tr>
<td align="center" class="style1"></td>
</tr>
<tr>
<td align="center" class="blue14"></td>
</tr>
<tr>
<td align="center" class="blue12"></td>
</tr>
<tr>
<td align="center" class="blue12">
2004-02-19</td>
</tr>
<tr>
<td align="left" class="blue14"><!--enpcontent--><style id="FOUNDERSTYLE"> .NoUser { } .Title { COLOR: #000000; FONT-FAMILY: ; BACKGROUND-COLOR: #ffffff; TEXT-ALIGN: left } .SubTitle { FONT-FAMILY: ; BACKGROUND-COLOR: #ffffff } .IntroTitle { FONT-FAMILY: ; BACKGROUND-COLOR: #ffffff } .SmallTitle { FONT-FAMILY: ; BACKGROUND-COLOR: #ffffff } .Author { FONT-FAMILY: ; BACKGROUND-COLOR: #ffffff } .Source { FONT-FAMILY: ; BACKGROUND-COLOR: #ffffff } .Abstract { FONT-FAMILY: ; BACKGROUND-COLOR: #ffffff }</style>
<p align="left">&nbsp;</p>
<p align="left">    尼尔逊今年23岁，来自尼日利亚。他在富特旺根住了两年了。他算有运气，因为这里的住房相当抢手。虽然富特旺根很小，但它吸引来了许多人来这里学习。不是每个人都能找到房子。住房很紧张，所以有人住到了附近的村落。</p>
<p align="center"><strong>自己动手安排业余时间</strong></p>
<p align="left">    尼尔逊觉得富特旺根真是好地方。他承认，开始的适应阶段不容易。这里的人和他家乡的人截然不同。性格内向，节奏缓慢。城市安静，小，而且有时很冷。但是不久以后尼尔逊就开始有了好感。他喜欢上了安静，而且发现，如果自己想办法，生活就会紧张起来。城里没有很多夜生活的机会，所以学生们发起了一大堆的活动。电影，学校爵士乐队，摄影组以及许多的运动项目。所有的活动由学生会组织。新主意在这里总是受欢迎。</p>
<p align="left">    在尼日利亚，尼尔逊喜欢跳舞。富特旺根虽然没有迪斯科舞厅，但是有许多的聚会。尼尔逊从心眼里喜欢这些聚会。因为这里的气氛特别好。友好，带有家庭气氛。所有的人都互相认识 - 那种在大厅里举行的彼此陌生的学期聚会在这里是找不到的。尼尔逊特别喜欢各国专题晚会。同学们会讲述他们各自的家乡，语言和文化。尼尔逊也曾介绍过他的国家，还做了尼日利亚的美味特产。</p>
<p align="center"><strong>黑森林的田园风光</strong></p>
<p align="left">    尼尔逊特别喜欢富特旺根的什么方面呢？毫无疑问，是它所处的好位置。优美的山丘，无尽的草地，吃草的羊，梦幻般的风景。城里平静的生活，秀丽的角落，一条逸然淌过的小河发出淙淙的水生。这里有最典型的黑森林风光。</p>
<p align="left">    尼尔逊喜欢这从容的节奏。而且，他喜欢冬季运动。经历了两个真正的富特旺根的冬天，他成了一个真正的雪板专家。他在雪里度过了许多时光。除此以外，他还想干许多事情：划独木舟，攀岩，骑山地自行车越野。</p>

<p align="left">
    更多信息： 
 
富特旺根市:
<a href="http://www.schwarzwald.net/">www.schwarzwald.net/

<p align="left">德国钟表博物馆：
<a href="http://www.deutsches-uhrenmuseum.de/">www.deutsches-uhrenmuseum.de/

<p align="left">维林根－施维宁根市一般介绍：
<a href="http://www.villingen-schwenningen.city-in.com/">www.villingen-schwenningen.city-in.com

<p align="left">维林根－施维宁根市一般介绍：
<a href="http://www.villingen-schwenningen.com/">www.villingen-schwenningen.com</td>
</tr>
</table><br /><hr /> Orignal From: <a href="http://www.rayscience.com/blog/?p=87" target=_blank>生活在富特旺根——安逸的小城</a><br />

德国弗莱堡 / Freiburg

Article title: 德国弗莱堡 / Freiburg
First posted: Wed 22 Jun 2005
Description: 德国西南角上的一座美丽的城市，以绿色生态城市闻名。



德国弗莱堡 / Freiburg
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<td><img vspace="10" align="right" src="http://www.euro-seeing.com/uploads/img42c4d6edd9630.jpg" hspace="8" />
<p style="margin: 10px">弗莱堡(Freiburg im Breisgau)是德国西南角上的一座美丽的城市，西部不远为法国边境，南部不远为瑞士边境。人口近20万，在德国算是中小城市。

城市最早始建于1120年。由两条步行街相连的东西两座城门构成的现今市中心地区，仍然是早期城市的结构。到1698年，开始受维也纳的哈布斯堡王朝的统治，所以城市整体又呈现出优雅雍容的气质。

绮丽的自然风光和独特的暖温带气候，使得旅游业成为弗莱堡的支柱产业。城市座落于黑森林山脉最西部的山脚下：背靠黑森林山，俯视莱茵河谷。

与德国北部和东部地区相比，这里阳光充足，气候潮湿温暖。虽然一年四季分明，但夏季多雨，因而少有酷暑，冬无严寒。这是因为由撒哈拉沙漠向北吹来的干燥暖空气，经由地中海的沐浴之后，在法国上岸，沿著名葡萄酒产区Rhone河谷一路继续北上，经过莱茵河地区的弗莱堡最后到达卡尔斯鲁尔地区。所以弗莱堡常年较温暖潮湿。</td>
</tr>
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<td><img vspace="10" align="right" src="http://www.euro-seeing.com/uploads/img42c4d70f7504f.jpg" hspace="8" />
<p align="justify" style="margin: 10px">这一特殊的地理气候，培育了城市周围浅山区优质的葡萄园和与之相伴的葡萄美酒旅游业。弗莱堡城背靠的黑森林山脉，又是德国西南部著名的度假区，冬季滑雪胜地。因为潮湿的暖空气上升到海拔一千多米的高山，遇到那里的冷空气，就会普降大雪。

弗莱堡附近的费尔德山(Feldberg)，海拔1493米，为黑森林最高峰，冬季滑雪场。</td>
</tr>
</table>
<table cellSpacing="10">
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<td><img vspace="10" align="right" src="http://www.euro-seeing.com/uploads/img42c4f6ae06c69.jpg" hspace="8" />
<p style="margin: 10px">老城街巷中的溪流

弗莱堡市的街巷两边有沟渠，沟渠中有水流急促的溪流。这是古罗马的建筑奇迹，也是弗莱堡的一大特色。一年四季流水潺潺，这座小城因此增添了不少灵气。

弗莱堡的沟渠总长7.5公里，是13世纪时建造的。在中世纪，沟渠建在街心，是为了防火，同时让牛羊止渴。后来改到街边。今天这些溪流已经没有实质上的功能了。

不过有一个十分有趣的传说讲述了另外的一个功能：凡是去弗莱堡的单身汉，如果有谁不小心踩进溪流里的话，他将很快会有好运，会和一个弗莱堡的美人结婚。不过，如果有幸踩进了溪流，而不幸没有那种好运，是因为有意不小心。</td>
</tr>
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<table cellSpacing="10">
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<td><img vspace="10" align="right" src="http://www.euro-seeing.com/uploads/img42c50cbfba7d5.jpg" hspace="8" />
<p style="margin: 10px">弗莱堡大教堂

弗莱堡在第二次世界大战中不幸被盟军轰炸，整个老城几乎全部被毁。但是它的大教堂却完好无损地保存了下来，好象有在天之灵保佑似的。大约在1200年左右，弗莱堡就开始在市中心建造大教堂了。起初的建筑还是罗马式的基础，但后来因为流行的哥特式传到弗莱堡，人们就立刻改变了计划，造起哥特式的教堂来了。1513年教堂完工。历时约300年。它的116米高的钟楼塔做工精湛，表现了哥特式教堂的典范，被誉为德国最美的教堂钟楼之一。</td>
</tr>
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<td><img vspace="10" align="right" src="http://www.euro-seeing.com/uploads/img42c4f70f7eb12.jpg" hspace="8" />
<p style="margin: 10px">大学城

弗萊堡是一座大学城，文化气息浓郁，有悠久的文化传统。1457年成立的弗莱堡大学以人文学科见长，是德国最古老的著名大学之一。现有近两万名来自世界各地的在校大学生。全城各处分布着大学的建筑设施。这里出过不少有名的文化人物。比如小说家埃米尔.斯特劳斯(Emil Strauss 1866-1966)，诺贝尔化学奖获得者斯道丁格尔(H.Staudinger 1881-1965)，诺贝尔经济学奖获得者冯海伊克(von Hayek 1899-1992), 文学家莱因霍尔德.希莱德尔(R. Schneider 1903-1958), 还有就是著名哲学家海德格尔 (Martin Heidegger 1889-1976) 了。近年来，大学建立了自然科学和应用科学等的现代学科，也增加了大学的魅力。</td>
</tr>
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<td><img vspace="10" align="right" src="http://www.euro-seeing.com/uploads/img42c4f745d02c2.jpg" hspace="8" />
<p style="margin: 10px">风味饮食

作为德国最有吸引力的旅游城市之一，弗莱堡的特色来源于历史，来源于天时地利人和。与浪漫的法兰西接壤，法国文化也就自然而然地或多或少渗透到<a target="_blank" href="http://www.euro-seeing.com/modules/articles/article.php?id=27"><strong><font color="#666666">黑森林(Schwarzwald)</font></strong></a>本土文化中去。最明显的要数法式风味餐饮。弗莱堡的一流餐厅大都提供法式大菜，如五星级<a target="_blank" href="http://www.euro-seeing.com/modules/tinycontent1/index.php?id=6"><strong><font color="#666666">哥伦毕(Colombi)</font></strong></a>酒店内的餐厅。这里的人们也喜欢法国蛋糕、甜点和奶酪。与瑞士作邻居，少不了的自然是瑞士巧克力。弗莱堡大学给这座城市增添了文化气氛和活力，更使得它带有了国际性。各种风味的饮食，在这里都会有市场。意大利餐馆、中餐馆、土耳其饼店随处可见。印度、波斯和非洲风味也可品尝得到。弗莱堡市内的中餐馆快餐店有十几家，各有特色。有五十年历史的香港楼，如今已是第二代传人。</td>
</tr>
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<td><img vspace="10" align="right" src="http://www.euro-seeing.com/uploads/img42c500244e7f4.jpg" hspace="8" />
<p style="margin: 10px">弗莱堡的今天

弗莱堡意译为自由堡，历史上的自由堡今天也同样不乏现代气息。弗莱堡不仅称作德国环境之都，也称作太阳能之都，是世界环境科学和太阳能研究中心之一。弗莱堡也是生物工程研究中心之一。弗莱堡足球队是一支有名的足球劲旅。弗莱堡市的广告词：大家想要的，弗莱堡都有。</td>
</tr>
</table><br /><hr /> Orignal From: <a href="http://www.rayscience.com/blog/?p=86" target=_blank>德国弗莱堡 / Freiburg </a><br />

Dage ships CV-profiler to Spanish solar institute

<font face="Arial">Dage ships CV-profiler to Spanish solar institute
Date announced: 31 Jan 2006
Dage EEV, a supplier of characterisation equipment and materials, is shipping an electrochemical CV Wafer Profiler CVP21 to the Instituto de Energia Solar in Madrid. The CVP21 will be used to analyze carrier concentration profiles for solar cell applications in III-V semiconductors and silicon.
The ECV-Profiler CVP21 can be used to check the doping in planar semiconductor structures, such as as-grown crystals, and epitaxial layers. Dage says that the CVP21 is a completely new piece of equipment that ensures operator-independent measurements with high reproducibility and precision.
The CVP21 can measure a very wide range of samples ranging from 2x2 mm2 samples to complete 8 inch wafers. A further option is the installation of a wafer stepper for wafer topography measurements. Its electronic system means that a wide range of doping levels can be measured from 1012 to 1022 cm-3.
The profiler's fluid system ensures automatic handling of the complete measurement process including loading/unloading of the electrolyte and the processing of sophisticated etch schemes for semiconductors where etching is problematic. The software is production proof and is optimized to be operator friendly, including fully automated operation, rich evaluation possibilities and wafer topography tools, says the company.
According to Dage, compared to Hall measurements or spreading resistance profiling, ECV-Profiling has the advantage that epi layers may be measured without restriction to substrate conductivity, because ECV-Profiling analyzes only the surface capacitance of the semiconductor. In addition, the sample does not need to be broken or structured, so even large wafers may be measured at a small measurement point without the destruction of the wafer.
Often the measurement is used for calibration of epitaxial equipment. In this case ECV-Profiling has the further advantages that several layers may be measured in one process, and that information is gathered about the quality of the interface and the homogeneity of the doping throughout the layer, says Dage.
The materials which can be measured include silicon and germanium, standard III-V semiconductors such as GaAs, InP, the ternary and quaternary combinations as such as AlGaAs, InAlGaP, and wide bandgap semiconductors such as GaN, AlGaN, AlInN, SiC or ZnO. Compared to SIMS, ECV-Profiling has several advantages, because it measures electrical activation of the dopants and offers quick and straightforward operation without the need for material calibration runs.
In the field of solar cell research, the CVP21 system is currently being used at many research centres. It was first used in 1999 by the Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems (ISE) in Freiburg, Germany, and since then it has been installed at the Institute for Molecules and Materials (IMM) in Nijmegen, The Netherlands, the RWE Space Solar Power GmbH in Heilbronn, Germany, the Hahn-Meitner-Institute (HMI) in Berlin, Germany, and the Institute for Solar Energy Research (ISFH) in Hamelin/Emmerthal, Germany.

Date announced: 31 Jan 2006
Dage EEV, a supplier of characterisation equipment and materials, is shipping an electrochemical CV Wafer Profiler CVP21 to the Instituto de Energia Solar in Madrid. The CVP21 will be used to analyze carrier concentration profiles for solar cell applications in III-V semiconductors and silicon.
The ECV-Profiler CVP21 can be used to check the doping in planar semiconductor structures, such as as-grown crystals, and epitaxial layers. Dage says that the CVP21 is a completely new piece of equipment that ensures operator-independent measurements with high reproducibility and precision.
The CVP21 can measure a very wide range of samples ranging from 2x2 mm2 samples to complete 8 inch wafers. A further option is the installation of a wafer stepper for wafer topography measurements. Its electronic system means that a wide range of doping levels can be measured from 1012 to 1022 cm-3.
The profiler's fluid system ensures automatic handling of the complete measurement process including loading/unloading of the electrolyte and the processing of sophisticated etch schemes for semiconductors where etching is problematic. The software is production proof and is optimized to be operator friendly, including fully automated operation, rich evaluation possibilities and wafer topography tools, says the company.
According to Dage, compared to Hall measurements or spreading resistance profiling, ECV-Profiling has the advantage that epi layers may be measured without restriction to substrate conductivity, because ECV-Profiling analyzes only the surface capacitance of the semiconductor. In addition, the sample does not need to be broken or structured, so even large wafers may be measured at a small measurement point without the destruction of the wafer.
Often the measurement is used for calibration of epitaxial equipment. In this case ECV-Profiling has the further advantages that several layers may be measured in one process, and that information is gathered about the quality of the interface and the homogeneity of the doping throughout the layer, says Dage.
The materials which can be measured include silicon and germanium, standard III-V semiconductors such as GaAs, InP, the ternary and quaternary combinations as such as AlGaAs, InAlGaP, and wide bandgap semiconductors such as GaN, AlGaN, AlInN, SiC or ZnO. Compared to SIMS, ECV-Profiling has several advantages, because it measures electrical activation of the dopants and offers quick and straightforward operation without the need for material calibration runs.
In the field of solar cell research, the CVP21 system is currently being used at many research centres. It was first used in 1999 by the Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems (ISE) in Freiburg, Germany, and since then it has been installed at the Institute for Molecules and Materials (IMM) in Nijmegen, The Netherlands, the RWE Space Solar Power GmbH in Heilbronn, Germany, the Hahn-Meitner-Institute (HMI) in Berlin, Germany, and the Institute for Solar Energy Research (ISFH) in Hamelin/Emmerthal, Germany.</font><br /><hr /> Orignal From: <a href="http://www.rayscience.com/blog/?p=85" target=_blank>Dage ships CV-profiler to Spanish solar institute</a><br />

全自动电化学CV 分布仪 CVP21

<strong><font face="楷体_GB2312"><span style="color: black" lang="ZH-CN">全自动电化学</span><span style="color: black" lang="EN-GB">CV </span><span style="color: black" lang="ZH-CN">分布仪 </span><span style="color: black" lang="EN-GB">CVP21</span><font color="#ff8000"> </font></font></strong>

<font size="2" face="华文仿宋"><span style="color: black" lang="ZH-CN">本设备适用于评估和控制在半导体生产中的外延过程并且以被使用在多种不同的材料上，　例如：</span><span style="color: black" lang="EN-US">Silicon, Germanium, III-V including III-Nitrides.
</span><span style="color: black" lang="DE">CVP 21 </span><span style="color: black" lang="ZH-CN">的净室和模块化的系统设计结构使得本系统可以高效率，准确的测量半导体材料（结构，层）中的掺杂浓度分布．</span><span style="color: black" lang="DE">选用合适的电解液与材料接触，腐蚀，从而得到材料的掺杂浓度分布</span><span style="color: black">。</span><span style="color: black" lang="ZH-CN">电容值电压扫描和腐蚀过程由软件全自动控制</span><span style="color: black" lang="DE">
<strong>
CVP21</strong></span><span style="color: black" lang="ZH-CN"><strong>的系统特点</strong></span><span style="color: black" lang="ZH-CN"><strong>
•</strong> </span><span style="color: black" lang="ZH-CN">坚固可靠的模块化系统结构</span><span style="color: black" lang="DE"> </span><span style="color: black" lang="DE">．光学，电子和化学部分相对独立．</span><span style="color: black" lang="ZH-CN">
• </span><span style="color: black" lang="ZH-CN">精确的测量电路模块
</span><span style="color: black" lang="DE">• </span><span style="color: black" lang="ZH-CN">强力的控制软件，系统操作，使用简便
</span><span style="color: black" lang="DE">• </span><span style="color: black" lang="ZH-CN">完善的售后服务体系</span></font><font size="2"> </font>
<ol>
<li><strong>提供免费样品测试并提供测试报告。</strong></li>
<li><strong>保修期：2年，终身维修。</strong></li>
<li><strong>对用户承诺终身免费样品测试每月1次。</strong></li>
</ol>
<hr />
<p align="center">
<table border="0" width="100%" cellPadding="0" cellSpacing="0" style="width: 100%" class="MsoNormalTable">
<tr style="height: 30.75pt">
<td vAlign="top" style="height: 30.75pt; padding: 4.5pt">
<p align="left" style="word-break: break-all; text-align: left"><strong><font size="4">特别推荐硅太阳能电池研究单位使用</font></strong>
知名用户:
(<strong>Shin-Etsu SEH or ISFH)</strong>In the field of solar cell research, the CVP21 system is currently being used at many research centres. It was first used in 1999 by the <strong>Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems (ISE)</strong> in Freiburg, Germany, and since then it has been installed at the <strong>Institute for Molecules and Materials (IMM) </strong>in Nijmegen, The Netherlands, <strong>the RWE Space Solar Power GmbH </strong>in Heilbronn, Germany, the <strong>Hahn-Meitner-Institute (HMI) </strong>in Berlin, Germany, and <strong>the Institute for Solar Energy Research (ISFH) </strong>in Hamelin/Emmerthal, Germany.
在德国和日本都有很多太阳能电池用户使用,鉴于商业保密需要不能公开。</td>
</tr>
</table>
<a href="http://www.rayscience.com/blog/wp-admin/post-new.php?posted=67"></a><br /><hr /> Orignal From: <a href="http://www.rayscience.com/blog/?p=84" target=_blank>全自动电化学CV 分布仪 CVP21 </a><br />

太阳能电池新贵，未来霸主！

公司与德国太阳能巨头Odersun公司合作，以德国太阳能技术研究所为背景，成功开发出新型CISCuT薄膜太阳能电池技术。目前，CISCuT太阳能电池技术中试阶段已接近完成，即将开始产业化投资。该技术成本低廉，预计规模生产后的最终成本将大大低于现有的硅晶片电池。目前国内多晶硅电池市场售价约为3.50美元/wp，成本为2.90美元/wp，对于国内民用发电而言，价格还是偏高，产品出口成为唯一选择，而CISCuT薄膜太阳电池的顺利投产将解决国内电池供应问题。更值得关注的是，目前安泰科技研发中心已与清华大学进行了合作设立了太阳能电池研发中心，开始了产业化运作。一期生产性投资已在2004年开始运作，产品销售即将展开，有望成为继G天威之后另一家正式推出太阳能电池的上市公司。就太阳能电池项目而言，也可望成为000969G安泰A增长最快的产业群，使其成为未来太阳能电池霸主！

<br /><hr /> Orignal From: <a href="http://www.rayscience.com/blog/?p=83" target=_blank>太阳能电池新贵，未来霸主！ </a><br />

新型太阳能电池

一、太阳能发电方式
太阳能发电有两种方式，一种是光—热—电转换方式，另一种是光—电直接转换方式。
（1）光—热—电转换方式
通过利用太阳辐射产生的热能发电，一般是由太阳能集热器将所吸收的热能转换成工质的蒸气，再驱动汽轮机发电。前一个过程是光—热转换过程；后一个过程是热—电转换过程，与普通的火力发电一样.太阳能热发电的缺点是效率很低而成本很高，估计它的投资至少要比普通火电站贵5～10倍.一座1000MW的太阳能热电站需要投资20～25亿美元，平均1kW的投资为2000～2500美元。
因此，目前只能小规模地应用于特殊的场合，而大规模利用在经济上很不合算，还不能与普通的火电站或核电站相竞争。
（2）光—电直接转换方式
该方式是利用光电效应，将太阳辐射能直接转换成电能，光—电转换的基本装置就是太阳能电池。
太阳能电池是一种由于光生伏特效应而将太阳光能直接转化为电能的器件，是一个半导体光电二极管，当太阳光照到光电二极管上时，光电二极管就会把太阳的光能变成电能，产生电流。当许多个电池串联或并联起来就可以成为有比较大的输出功率的太阳能电池方阵了。
太阳能电池是一种大有前途的新型电源，具有永久性、清洁性和灵活性三大优点.太阳能电池寿命长，只要太阳存在，太阳能电池就可以一次投资而长期使用；与火力发电、核能发电相比，太阳能电池不会引起环境污染；太阳能电池可以大中小并举，大到百万千瓦的中型电站，小到只供一户用的太阳能电池组，这是其它电源无法比拟的
二、太阳能电池种类
太阳能电池根据所用材料的不同，太阳能电池可分为：硅太阳能电池、多元化合物薄膜太阳能电池、聚合物多层修饰电极型太阳能电池、纳米晶太阳能电池四大类，其中硅太阳能电池是目前发展最成熟的，在应用中居主导地位。
（1）硅太阳能电池
硅太阳能电池分为单晶硅太阳能电池、多晶硅薄膜太阳能电池和非晶硅薄膜太阳能电池三种。
单晶硅太阳能电池转换效率最高，技术也最为成熟。在实验室里最高的转换效率为23%,规模生产时的效率为15%。在大规模应用和工业生产中仍占据主导地位，但由于单晶硅成本价格高，大幅度降低其成本很困难，为了节省硅材料，发展了多晶硅薄膜和非晶硅薄膜做为单晶硅太阳能电池的替代产品。
多晶硅薄膜太阳能电池与单晶硅比较,成本低廉，而效率高于非晶硅薄膜电池，其实验室最高转换效率为18%,工业规模生产的转换效率为10%。因此，多晶硅薄膜电池不久将会在太阳能电地市场上占据主导地位。
非晶硅薄膜太阳能电池成本低重量轻，转换效率较高，便于大规模生产，有极大的潜力。但受制于其材料引发的光电效率衰退效应，稳定性不高，直接影响了它的实际应用。如果能进一步解决稳定性问题及提高转换率问题，那么，非晶硅大阳能电池无疑是太阳能电池的主要发展产品之一。
（2）多元化合物薄膜太阳能电池
多元化合物薄膜太阳能电池材料为无机盐，其主要包括砷化镓III-V族化合物、硫化镉、硫化镉及铜锢硒薄膜电池等。
硫化镉、碲化镉多晶薄膜电池的效率较非晶硅薄膜太阳能电池效率高，成本较单晶硅电池低，并且也易于大规模生产，但由于镉有剧毒，会对环境造成严重的污染，因此，并不是晶体硅太阳能电池最理想的替代产品。
砷化镓（GaAs）III-V化合物电池的转换效率可达28%，GaAs化合物材料具有十分理想的光学带隙以及较高的吸收效率,抗辐照能力强,对热不敏感，适合于制造高效单结电池。但是GaAs材料的价格不菲,因而在很大程度上限制了用GaAs电池的普及。
铜铟硒薄膜电池（简称CIS）适合光电转换，不存在光致衰退问题，转换效率和多晶硅一样。具有价格低廉、性能良好和工艺简单等优点，将成为今后发展太阳能电池的一个重要方向。唯一的问题是材料的来源，由于铟和硒都是比较稀有的元素，因此，这类电池的发展又必然受到限制。
（3）聚合物多层修饰电极型太阳能电池
以有机聚合物代替无机材料是刚刚开始的一个太阳能电池制造的研究方向。由于有机材料柔性好，制作容易，材料来源广泛，成本底等优势，从而对大规模利用太阳能，提供廉价电能具有重要意义。但以有机材料制备太阳能电池的研究仅仅刚开始，不论是使用寿命，还是电池效率都不能和无机材料特别是硅电池相比。能否发展成为具有实用意义的产品，还有待于进一步研究探索。
（4）纳米晶太阳能电池
纳米TiO2晶体化学能太阳能电池是新近发展的，优点在于它廉价的成本和简单的工艺及稳定的性能。其光电效率稳定在10％以上，制作成本仅为硅太阳电池的1/5～1/10．寿命能达到2O年以上。
但由于此类电池的研究和开发刚刚起步，估计不久的将来会逐步走上市场。
三、太阳能电池产业现状
（1）全球太阳能电池产业现状
据Dataquest的统计资料显示,目前全世界共有136 个国家投入普及应用太阳能电池的热潮中,其中有95 个国家正在大规模地进行太阳能电池的研制开发,积极生产各种相关的节能新产品。1998年,全世界生产的太阳能电池,其总的发电量达1000兆瓦,1999年达 2850兆瓦。2000年,全球有将近4600 家厂商向市场提供光电池和以光电池为电源的产品。
目前,许多国家正在制订中长期太阳能开发计划,准备在21世纪大规模开发太阳能，美国能源部推出的是国家光伏计划, 日本推出的是阳光计划。NREL光伏计划是美国国家光伏计划的一项重要的内容，该计划在单晶硅和高级器件、薄膜光伏技术、PVMaT、光伏组件以及系统性能和工程、 光伏应用和市场开发等5个领域开展研究工作。
美国还推出了"太阳能路灯计划",旨在让美国一部分城市的路灯都改为由太阳能供电,根据计划,每盏路灯每年可节电 800 度。日本也正在实施太阳能"7万套工程计划"， 日本准备普及的太阳能住宅发电系统,主要是装设在住宅屋顶上的太阳能电池发电设备,家庭用剩余的电量还可以卖给电力公司。一个标准家庭可安装一部发电3000瓦的系统。欧洲则将研究开发太阳能电池列入著名的"尤里卡"高科技计划，推出了"10万套工程计划"。 这些以普及应用光电池为主要内容的"太阳能工程"计划是目前推动太阳能光电池产业大发展的重要动力之一。
日本、韩国以及欧洲地区总共8个国家最近决定携手合作,在亚洲内陆及非洲沙漠地区建设世界上规模最大的太阳能发电站,他们的目标是将占全球陆地面积约1/4的沙漠地区的长时间日照资源有效地利用起来,为30万用户提供100万千瓦的电能。计划将从2001年开始，花4年时间完成。
目前,美国和日本在世界光伏市场上占有最大的市场份额。 美国拥有世界上最大的光伏发电厂,其功率为7MW,日本也建成了发电功率达1MW的光伏发电厂。全世界总共有23万座光伏发电设备,以色列、澳大利亚、新西兰居于领先地位。
20世纪90年代以来,全球太阳能电池行业以每年15%的增幅持续不断地发展。据Dataquest发布的最新统计和预测报告显示,美国、日本和西欧工业发达国家在研究开发太阳能方面的总投资, 1998年达570亿美元;1999年646亿美元;2000年700亿美元;2001年将达820亿美元;2002年有望突破1000亿美元。
<br /><hr /> Orignal From: <a href="http://www.rayscience.com/blog/?p=82" target=_blank>新型太阳能电池</a><br />

太阳能电池介绍

阳能作为一种清洁能源，在其有效利用当中，大阳能光电利用用于发电是近些年来发展最快，最具活力的研究领域。现就太阳能发电太阳能发电暨太阳能电池行业发展状况做一粗略的介绍。
一、太阳能发电方式
太阳能发电有两种方式，一种是光—热—电转换方式，另一种是光—电直接转换方式。
（1）光—热—电转换方式
通过利用太阳辐射产生的热能发电，一般是由太阳能集热器将所吸收的热能转换成工质的蒸气，再驱动汽轮机发电。前一个过程是光—热转换过程；后一个过程是热—电转换过程，与普通的火力发电一样.太阳能热发电的缺点是效率很低而成本很高，估计它的投资至少要比普通火电站贵5～10倍.一座1000MW的太阳能热电站需要投资20～25亿美元，平均1kW的投资为2000～2500美元。
因此，目前只能小规模地应用于特殊的场合，而大规模利用在经济上很不合算，还不能与普通的火电站或核电站相竞争。
（2）光—电直接转换方式
该方式是利用光电效应，将太阳辐射能直接转换成电能，光—电转换的基本装置就是太阳能电池。
太阳能电池是一种由于光生伏特效应而将太阳光能直接转化为电能的器件，是一个半导体光电二极管，当太阳光照到光电二极管上时，光电二极管就会把太阳的光能变成电能，产生电流。当许多个电池串联或并联起来就可以成为有比较大的输出功率的太阳能电池方阵了。
太阳能电池是一种大有前途的新型电源，具有永久性、清洁性和灵活性三大优点.太阳能电池寿命长，只要太阳存在，太阳能电池就可以一次投资而长期使用；与火力发电、核能发电相比，太阳能电池不会引起环境污染；太阳能电池可以大中小并举，大到百万千瓦的中型电站，小到只供一户用的太阳能电池组，这是其它电源无法比拟的
二、太阳能电池种类
太阳能电池根据所用材料的不同，太阳能电池可分为：硅太阳能电池、多元化合物薄膜太阳能电池、聚合物多层修饰电极型太阳能电池、纳米晶太阳能电池四大类，其中硅太阳能电池是目前发展最成熟的，在应用中居主导地位。
（1）硅太阳能电池
硅太阳能电池分为单晶硅太阳能电池、多晶硅薄膜太阳能电池和非晶硅薄膜太阳能电池三种。
单晶硅太阳能电池转换效率最高，技术也最为成熟。在实验室里最高的转换效率为23%,规模生产时的效率为15%。在大规模应用和工业生产中仍占据主导地位，但由于单晶硅成本价格高，大幅度降低其成本很困难，为了节省硅材料，发展了多晶硅薄膜和非晶硅薄膜做为单晶硅太阳能电池的替代产品。
多晶硅薄膜太阳能电池与单晶硅比较,成本低廉，而效率高于非晶硅薄膜电池，其实验室最高转换效率为18%,工业规模生产的转换效率为10%。因此，多晶硅薄膜电池不久将会在太阳能电地市场上占据主导地位。
非晶硅薄膜太阳能电池成本低重量轻，转换效率较高，便于大规模生产，有极大的潜力。但受制于其材料引发的光电效率衰退效应，稳定性不高，直接影响了它的实际应用。如果能进一步解决稳定性问题及提高转换率问题，那么，非晶硅大阳能电池无疑是太阳能电池的主要发展产品之一。
（2）多元化合物薄膜太阳能电池
多元化合物薄膜太阳能电池材料为无机盐，其主要包括砷化镓III-V族化合物、硫化镉、硫化镉及铜锢硒薄膜电池等。
硫化镉、碲化镉多晶薄膜电池的效率较非晶硅薄膜太阳能电池效率高，成本较单晶硅电池低，并且也易于大规模生产，但由于镉有剧毒，会对环境造成严重的污染，因此，并不是晶体硅太阳能电池最理想的替代产品。
砷化镓（GaAs）III-V化合物电池的转换效率可达28%，GaAs化合物材料具有十分理想的光学带隙以及较高的吸收效率,抗辐照能力强,对热不敏感，适合于制造高效单结电池。但是GaAs材料的价格不菲,因而在很大程度上限制了用GaAs电池的普及。
铜铟硒薄膜电池（简称CIS）适合光电转换，不存在光致衰退问题，转换效率和多晶硅一样。具有价格低廉、性能良好和工艺简单等优点，将成为今后发展太阳能电池的一个重要方向。唯一的问题是材料的来源，由于铟和硒都是比较稀有的元素，因此，这类电池的发展又必然受到限制。
（3）聚合物多层修饰电极型太阳能电池
以有机聚合物代替无机材料是刚刚开始的一个太阳能电池制造的研究方向。由于有机材料柔性好，制作容易，材料来源广泛，成本底等优势，从而对大规模利用太阳能，提供廉价电能具有重要意义。但以有机材料制备太阳能电池的研究仅仅刚开始，不论是使用寿命，还是电池效率都不能和无机材料特别是硅电池相比。能否发展成为具有实用意义的产品，还有待于进一步研究探索。
（4）纳米晶太阳能电池
纳米TiO2晶体化学能太阳能电池是新近发展的，优点在于它廉价的成本和简单的工艺及稳定的性能。其光电效率稳定在10％以上，制作成本仅为硅太阳电池的1/5～1/10．寿命能达到2O年以上。
但由于此类电池的研究和开发刚刚起步，估计不久的将来会逐步走上市场。
三、太阳能电池产业现状
（1）全球太阳能电池产业现状
据Dataquest的统计资料显示,目前全世界共有136 个国家投入普及应用太阳能电池的热潮中,其中有95 个国家正在大规模地进行太阳能电池的研制开发,积极生产各种相关的节能新产品。1998年,全世界生产的太阳能电池,其总的发电量达1000兆瓦,1999年达 2850兆瓦。2000年,全球有将近4600 家厂商向市场提供光电池和以光电池为电源的产品。
目前,许多国家正在制订中长期太阳能开发计划,准备在21世纪大规模开发太阳能，美国能源部推出的是国家光伏计划, 日本推出的是阳光计划。NREL光伏计划是美国国家光伏计划的一项重要的内容，该计划在单晶硅和高级器件、薄膜光伏技术、PVMaT、光伏组件以及系统性能和工程、 光伏应用和市场开发等5个领域开展研究工作。
美国还推出了"太阳能路灯计划",旨在让美国一部分城市的路灯都改为由太阳能供电,根据计划,每盏路灯每年可节电 800 度。日本也正在实施太阳能"7万套工程计划"， 日本准备普及的太阳能住宅发电系统,主要是装设在住宅屋顶上的太阳能电池发电设备,家庭用剩余的电量还可以卖给电力公司。一个标准家庭可安装一部发电3000瓦的系统。欧洲则将研究开发太阳能电池列入著名的"尤里卡"高科技计划，推出了"10万套工程计划"。 这些以普及应用光电池为主要内容的"太阳能工程"计划是目前推动太阳能光电池产业大发展的重要动力之一。
日本、韩国以及欧洲地区总共8个国家最近决定携手合作,在亚洲内陆及非洲沙漠地区建设世界上规模最大的太阳能发电站,他们的目标是将占全球陆地面积约1/4的沙漠地区的长时间日照资源有效地利用起来,为30万用户提供100万千瓦的电能。计划将从2001年开始，花4年时间完成。
目前,美国和日本在世界光伏市场上占有最大的市场份额。 美国拥有世界上最大的光伏发电厂,其功率为7MW,日本也建成了发电功率达1MW的光伏发电厂。全世界总共有23万座光伏发电设备,以色列、澳大利亚、新西兰居于领先地位。
20世纪90年代以来,全球太阳能电池行业以每年15%的增幅持续不断地发展。据Dataquest发布的最新统计和预测报告显示,美国、日本和西欧工业发达国家在研究开发太阳能方面的总投资, 1998年达570亿美元;1999年646亿美元;2000年700亿美元;2001年将达820亿美元;2002年有望突破1000亿美元。
（2）我国太阳能电池产业现状
我国对太阳能电池的研究开发工作高度重视,早在七五期间,非晶硅半导体的研究工作已经列入国家重大课题;八五和九五期间,我国把研究开发的重点放在大面积太阳能电池等方面。2003年10月，国家发改委、科技部制定出未来5年太阳能资源开发计划，发改委"光明工程"将筹资100亿元用于推进太阳能发电技术的应用，计划到2005年全国太阳能发电系统总装机容量达到300兆瓦。
2002年，国家有关部委启动了"西部省区无电乡通电计划"，通过太阳能和小型风力发电解决西部七省区无电乡的用电问题。这一项目的启动大大刺激了太阳能发电产业，国内建起了几条太阳能电池的封装线，使太阳能电池的年生产量迅速增加。我国目前已有10条太阳能电池生产线,年生产能力约为4.5MW,其中8条生产线是从国外引进的,在这8条生产线当中,有6条单晶硅太阳能电池生产线,2条非晶硅太阳能电池生产线。据专家预测,目前我国光伏市场需求量为每年5MW,2001～2010年,年需求量将达10MW,从2011年开始,我国光伏市场年需求量将大于20MW。
目前国内太阳能硅生产企业主要有洛阳单晶硅厂、河北宁晋单晶硅基地和四川峨眉半导体材料厂等厂商，其中河北宁晋单晶硅基地是世界最大的太阳能单晶硅生产基地，占世界太阳能单晶硅市场份额的25％左右。
在太阳能电池材料下游市场，目前国内生产太阳能电池的企业主要有保定英利新能源、无锡尚德、开封太阳能电池厂、云南半导体器件厂、秦皇岛华美光伏电子、浙江中意太阳能、宁波太阳能电源、京瓷（天津）太阳能等公司，总计年产能在120MW以上。
（3）太阳能电池及太阳能发电前景简析
目前,太阳能电池的应用已从军事领域、航天领域进入工业、商业、农业、 通信、家用电器以及公用设施等部门，尤其可以分散地在边远地区、高山、沙漠、海岛和农村使用，以节省造价很贵的输电线路。但是在目前阶段，它的成本还很高，发出1kW电需要投资上万美元，因此大规模使用仍然受到经济上的限制。
但是，从长远来看，随着太阳能电池制造技术的改进以及新的光—电转换装置的发明，各国对环境的保护和对再生清洁能源的巨大需求，太阳能电池仍将是利用太阳辐射能比较切实可行的方法，可为人类未来大规模地利用太阳能开辟广阔的前景。
<br /><hr /> Orignal From: <a href="http://www.rayscience.com/blog/?p=81" target=_blank>太阳能电池介绍</a><br />

杉杉尤利卡太阳能科技发展有限公司

* 太阳能电池
公司拥有两条设备先进的太阳能电池生产线，主要生产单晶硅，多晶硅太阳能电池。其中单晶硅电池根据原材料来源又可以分为回收型电池和普通型电池两种。回收型电池是利用回收半导体工业硅片为原材料的太阳能电池，而普通型电池则是利用太阳能级硅片制作的太阳能电池。
回收型单晶硅太阳能电池 公司目前是国内唯一专业的从事利用回收半导体工业废弃硅片生产太阳能电池的工厂，我们利用独特的太阳能电池生产技术，能够处理半导体工业废弃硅片的各种不同的表面以及内在的特性，从而进行稳定的大规模化生产。生产的单晶硅电池效率达到15％以上，变废为宝，为解决太阳能电池原材料紧张提供了一条有效的解决之路。
主要生产的电池大小有，5inch，6inch，8inch半导体硅片加工而成的103×103mm，125×125mm，156×156mm准方片等三种规格电池。
普通型单晶硅太阳能电池 公司生产的单晶硅太阳能电池效率高达15％，主要有103×103mm，125×125mm，156×156mm准方片等三种规格。
多晶硅太阳能电池 主要有103×103mm，125×125mm，156×156mm方片等三种规格。


* 太阳能电池组件
公司拥有一套大型的太阳能电池组件封装生产线，依靠多年生产太阳能电池组件的经验和技术，生产有高效的太阳能电池组件。最大能够封装生产300瓦的太阳能电池组件。

主要规格为：10瓦～180瓦，300瓦的太阳能电池组件，能够根据客户需求进行定制。标称电压有12V，24V，48V，72V等规格。我们的口号是客户所想为我们所做的。


* 非晶硅太阳能电池组件
公司与日本Kenaka公司有着长年的合作，是目前Kenaka公司国内唯一的代理商，我们依靠进口Kenaka公司生产的高效非晶硅太阳能电池，在国内进行封装生产，形成各种系列的太阳能电池组件。并将非晶硅电池推广应用于中国的电站，家用照明以及路灯系统等应用中。Kenaka公司是目前世界上最出色的非晶硅太阳能电池生产厂家之一，生产的非晶硅薄膜电池出厂效率高达8%。
主要从15瓦～70瓦不等。
<br /><hr /> Orignal From: <a href="http://www.rayscience.com/blog/?p=80" target=_blank>杉杉尤利卡太阳能科技发展有限公司</a><br />

新型太阳能电池

美国科学家使用新方法设计出一种价格低廉的太阳能电池。如果其光电转换效率能进一步提高，将有望取代价格昂贵的普通太阳能电池。


　　普通太阳能电池依赖半导体硅吸收太阳光的能量。阳光能激发硅半导体里带负电的电子，留下带正电的空穴，并把电荷输送到电极。这只有很纯净、价格昂贵的硅半导体材料才能做到。

　　美国加利福尼亚大学的科学家设计出了一种"三明治"式的太阳能电池，由最上面的一层染料分子吸收阳光，阳光激发的电子通过中间一层金箔，到达下面的二氧化钛半导体层，由二氧化钛把电荷收集起来。这样，吸收阳光和收集电荷的功能分别由不同的材料担当，半导体材料本身不需要吸收阳光，因此可以使用二氧化钛这样的廉价材料。

　　不过，这种电池目前只能把不到1％的阳光能量转换成电能，而普通太阳能电池的转换率能达到15％。在改进设计、提高转换效率之前，还不能确定这种"三明治"式的太阳能电池是否有实用前景。<br /><hr /> Orignal From: <a href="http://www.rayscience.com/blog/?p=79" target=_blank>新型太阳能电池</a><br />

涉足太阳能光伏产业公司一览

2006年3月31日14时21分 信息来源：慧聪网电子行业频道 网友评论 0 条 进入论坛




　　G申能(600642.SH)：通过参股上海太阳能科技公司，介入太阳能领域。

　　风帆股份(600482.SH)：

　　我国起动用蓄电池的龙头企业，太阳能电池一期工程计划年内开工，竣工投产后形成20万MW太阳能电池和组件的生产能力，项目整体竣工投产后形成40万MW太阳能电池和组件的生产能力。

　　乐山电力(600644.SH)：

　　参股四川新光硅业科技有限责任公司，该公司是目前国内最大的太阳能电池原材料多晶硅生产商。
　　杉杉股份(600884.SH)：公司拟出资组建宁波杉杉尤利卡太阳能有限公司，拟主要生产和经营单晶硅太阳能电池片、电池组件，以及太阳能发电系统、太阳能照明系统、太阳能电池通信系统、太阳能建筑一体化产品等。

　　交大南洋(600661.SH)：

　　控股61.9%上海交大泰阳绿色能源有限公司，形成一定的太阳能电池片生产能力，在2005年上半年主营收入超过5300万元，同比增长338.%，远超去年全年的3978万元，呈现快速增长态势。

　　金晶科技(600586.SH)：

　　正打造国内最大的节能新材料基地，公司日前公告引进外资技术进军超白玻璃领域，根本上满足了我国太阳能产业(太阳能光热、光电转换系统基片)对玻璃基片的高品质要求的超白玻璃的国内空白。

　　南玻(000012.SZ)：

　　拟投资新建太阳能光伏超白电子玻璃压延生产线，投产后可年产太阳能光伏超白电子玻璃7.9万余吨。

<br /><hr /> Orignal From: <a href="http://www.rayscience.com/blog/?p=78" target=_blank>涉足太阳能光伏产业公司一览</a><br />

什么是太阳能电池？

太阳能电池又称光电池、光生伏打电池。是一种将光能直接转换成电能的半导体器件。工作原理是基于半导体P-N结的光生伏打效应。当电池表面受到光照时，在电池内部产生的光生电子－空穴对扩散到P-N结并受结电场影响而分开，电子移向N区，空穴移向P区，在P区和N区之间产生了光生电动势，当外电路连接起来时就有电流通过。现主要有硅、硫化镉、砷化镓太阳能电池。
<br /><hr /> Orignal From: <a href="http://www.rayscience.com/blog/?p=77" target=_blank>什么是太阳能电池？</a><br />

多晶硅太阳能电池制作工艺概述

工业化发展来看，重心已由单晶向多晶方向发展，主要原因为；[1]可供应太阳电池的头尾料愈来愈少；[2]对太阳电池来讲，方形基片更合算，通过浇铸法和直接凝固法所获得的多晶硅可直接获得方形材料...
　　[1]激光刻槽　 　 [2]化学刻槽
　　[3]反应离子腐蚀　[4]制作减反射膜层 <br /><hr /> Orignal From: <a href="http://www.rayscience.com/blog/?p=76" target=_blank>多晶硅太阳能电池制作工艺概述</a><br />

多晶硅太阳能电池制作工艺概述

摘要：大规模开发和利用光伏太阳能发电, 提高电池的光电转换效率和降低生产成本是其核心所在，由于近十年人们对太阳电池理论认识的进一步深入、生产工艺的改进、IC技术的渗入和新电池结构的出现，电池的转换效率得到较大的提高，大规模生产上，多晶硅电池的转换效率已接近单晶硅电池，在非晶硅电池稳定性问题未取得较大进展时，多晶硅电池受到人们的关注，其世界产量已接近单晶硅，本文对目前多晶硅太阳电池的工艺发展分别从实验室工艺和规模化生产两个方面作了比较系统的描述。

1 绪论

众所周知，利用太阳能有许多优点，光伏发电将为人类提供主要的能源，但目前来讲，要使太阳能发电具有较大的市场，被广大的消费者接受，提高太阳电池的光电转换效率，降低生产成本应该是我们追求的最大目标，从目前国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。从工业化发展来看，重心已由单晶向多晶方向发展，主要原因为；[1]可供应太阳电池的头尾料愈来愈少；[2] 对太阳电池来讲，方形基片更合算，通过浇铸法和直接凝固法所获得的多晶硅可直接获得方形材料；[3]多晶硅的生产工艺不断取得进展，全自动浇铸炉每生产周期（50小时）可生产200公斤以上的硅锭，晶粒的尺寸达到厘米级；[4]由于近十年单晶硅工艺的研究与发展很快，其中工艺也被应用于多晶硅电池的生产，例如选择腐蚀发射结、背表面场、腐蚀绒面、表面和体钝化、细金属栅电极，采用丝网印刷技术可使栅电极的宽度降低到50微米，高度达到15微米以上，快速热退火技术用于多晶硅的生产可大大缩短工艺时间，单片热工序时间可在一分钟之内完成，采用该工艺在100平方厘米的多晶硅片上作出的电池转换效率超过14％。据报道，目前在50～60微米多晶硅衬底上制作的电池效率超过16％。利用机械刻槽、丝网印刷技术在100平方厘米多晶上效率超过17％，无机械刻槽在同样面积上效率达到16％，采用埋栅结构，机械刻槽在130平方厘米的多晶上电池效率达到15.8％。

下面从两个方面对多晶硅电池的工艺技术进行讨论。

2. 实验室高效电池工艺

实验室技术通常不考虑电池制作的成本和是否可以大规模化生产，仅仅研究达到最高效率的方法和途径，提供特定材料和工艺所能够达到的极限。

2.1关于光的吸收

对于光吸收主要是：

（1）降低表面反射；

（2）改变光在电池体内的路径；

（3）采用背面反射。

对于单晶硅，应用各向异性化学腐蚀的方法可在（100）表面制作金字塔状的绒面结构，降低表面光反射。但多晶硅晶向偏离（100）面，采用上面的方法无法作出均匀的绒面，目前采用下列方法:

[1]激光刻槽

用激光刻槽的方法可在多晶硅表面制作倒金字塔结构，在500～900nm光谱范围内，反射率为4～6％，与表面制作双层减反射膜相当。而在（100）面单晶硅化学制作绒面的反射率为11％。用激光制作绒面比在光滑面镀双层减反射膜层（ZnS/MgF2）电池的短路电流要提高4％左右，这主要是长波光（波长大于800nm）斜射进入电池的原因。激光制作绒面存在的问题是在刻蚀中，表面造成损伤同时引入一些杂质，要通过化学处理去除表面损伤层。该方法所作的太阳电池通常短路电流较高，但开路电压不太高，主要原因是电池表面积增加，引起复合电流提高。

[2]化学刻槽

应用掩膜（Si3N4或SiO2）各向同性腐蚀，腐蚀液可为酸性腐蚀液，也可为浓度较高的氢氧化钠或氢氧化钾溶液，该方法无法形成各向异性腐蚀所形成的那种尖锥状结构。据报道，该方法所形成的绒面对700～1030微米光谱范围有明显的减反射作用。但掩膜层一般要在较高的温度下形成，引起多晶硅材料性能下降，特别对质量较低的多晶材料，少子寿命缩短。应用该工艺在225cm2的多晶硅上所作电池的转换效率达到16.4%。掩膜层也可用丝网印刷的方法形成。

[3]反应离子腐蚀（RIE）

该方法为一种无掩膜腐蚀工艺，所形成的绒面反射率特别低，在450～1000微米光谱范围的反射率可小于2％。仅从光学的角度来看，是一种理想的方法，但存在的问题是硅表面损伤严重，电池的开路电压和填充因子出现下降。

[4]制作减反射膜层

对于高效太阳电池，最常用和最有效的方法是蒸镀ZnS/MgF2双层减反射膜，其最佳厚度取决于下面氧化层的厚度和电池表面的特征，例如，表面是光滑面还是绒面，减反射工艺也有蒸镀Ta2O5, PECVD沉积 Si3N3等。ZnO导电膜也可作为减反材料。

2.2金属化技术

在高效电池的制作中，金属化电极必须与电池的设计参数，如表面掺杂浓度、PN结深，金属材料相匹配。实验室电池一般面积比较小（面积小于4cm2），所以需要细金属栅线（小于10微米），一般采用的方法为光刻、电子束蒸发、电子镀。工业化大生产中也使用电镀工艺，但蒸发和光刻结合使用时，不属于低成本工艺技术。

[1]电子束蒸发和电镀

通常，应用正胶剥离工艺，蒸镀Ti/Pa/Ag多层金属电极，要减小金属电极所引起的串联电阻，往往需要金属层比较厚（8～10微米）。缺点是电子束蒸发造成硅表面/钝化层介面损伤，使表面复合提高，因此，工艺中，采用短时蒸发Ti/Pa层，在蒸发银层的工艺。另一个问题是金属与硅接触面较大时，必将导致少子复合速度提高。工艺中，采用了隧道结接触的方法，在硅和金属成间形成一个较薄的氧化层（一般厚度为20微米左右）应用功函数较低的金属(如钛等)可在硅表面感应一个稳定的电子积累层(也可引入固定正电荷加深反型)。另外一种方法是在钝化层上开出小窗口（小于2微米），再淀积较宽的金属栅线（通常为10微米），形成mushroom—like状电极，用该方法在4cm2 Mc-Si上电池的转换效率达到17.3％。目前，在机械刻槽表面也运用了Shallow angle (oblique)技术。

2.3 PN结的形成技术

[1]发射区形成和磷吸杂

对于高效太阳能电池，发射区的形成一般采用选择扩散，在金属电极下方形成重杂质区域而在电极间实现浅浓度扩散，发射区的浅浓度扩散即增强了电池对蓝光的响应，又使硅表面易于钝化。扩散的方法有两步扩散工艺、扩散加腐蚀工艺和掩埋扩散工艺。目前采用选择扩散，15×15cm2电池转换效率达到16.4%，n++、n+区域的表面方块电阻分别为20Ω和80Ω.

对于Mc—Si材料，扩磷吸杂对电池的影响得到广泛的研究，较长时间的磷吸杂过程（一般3～4小时），可使一些Mc—Si的少子扩散长度提高两个数量级。在对衬底浓度对吸杂效应的研究中发现，即便对高浓度的衬第材料，经吸杂也能够获得较大的少子扩散长度（大于200微米），电池的开路电压大于638mv, 转换效率超过17％。

[2]背表面场的形成及铝吸杂技术

在Mc—Si电池中，背p+p结由均匀扩散铝或硼形成，硼源一般为BN、BBr、APCVD SiO2：B2O8等，铝扩散为蒸发或丝网印刷铝，800度下烧结所完成，对铝吸杂的作用也开展了大量的研究，与磷扩散吸杂不同，铝吸杂在相对较低的温度下进行。其中体缺陷也参与了杂质的溶解和沉积，而在较高温度下，沉积的杂质易于溶解进入硅中，对Mc—Si产生不利的影响。到目前为至，区域背场已应用于单晶硅电池工艺中，但在多晶硅中，还是应用全铝背表面场结构。

[3]双面Mc—Si电池

Mc—Si双面电池其正面为常规结构，背面为N＋和P＋相互交叉的结构，这样，正面光照产生的但位于背面附近的光生少子可由背电极有效吸收。背电极作为对正面电极的有效补充，也作为一个独立的栽流子收集器对背面光照和散射光产生作用，据报道，在AM1.5条件下，转换效率超过19％。

2.4 表面和体钝化技术

对于Mc—Si，因存在较高的晶界、点缺陷（空位、填隙原子、金属杂质、氧、氮及他们的复合物）对材料表面和体内缺陷的钝化尤为重要，除前面提到的吸杂技术外，钝化工艺有多种方法，通过热氧化使硅悬挂键饱和是一种比较常用的方法，可使Si-SiO2界面的复合速度大大下降，其钝化效果取决于发射区的表面浓度、界面态密度和电子、空穴的浮获截面。在氢气氛中退火可使钝化效果更加明显。采用PECVD淀积氮化硅近期正面十分有效，因为在成膜的过程中具有加氢的效果。该工艺也可应用于规模化生产中。应用Remote PECVD Si3N4可使表面复合速度小于20cm/s。

3 工业化电池工艺

太阳电池从研究室走向工厂，实验研究走向规模化生产是其发展的道路，所以能够达到工业化生产的特征应该是：

[1]电池的制作工艺能够满足流水线作业；

[2]能够大规模、现代化生产；

[3]达到高效、低成本。

当然，其主要目标是降低太阳电池的生产成本。目前多晶硅电池的主要发展方向朝着大面积、薄衬底。例如，市场上可见到125×125mm2、150×150mm2甚至更大规模的单片电池，厚度从原来的300微米减小到目前的250、200及200微米以下。效率得到大幅度的提高。日本京磁（Kyocera）公司150×150的电池小批量生产的光电转换效率达到17.1%，该公司1998年的生产量达到25.4MW。

（1）丝网印刷及其相关技术

多晶硅电池的规模化生产中广泛使用了丝网印刷工艺，该工艺可用于扩散源的印刷、正面金属电极、背接触电极，减反射膜层等，随着丝网材料的改善和工艺水平的提高，丝网印刷工艺在太阳电池的生产中将会得到更加普遍的应用。

a.发射区的形成

利用丝网印刷形成PN结，代替常规的管式炉扩散工艺。一般在多晶硅的正面印刷含磷的浆料、在反面印刷含铝的金属浆料。印刷完成后，扩散可在网带炉中完成（通常温度在900度），这样，印刷、烘干、扩散可形成连续性生产。丝网印刷扩散技术所形成的发射区通常表面浓度比较高，则表面光生载流子复合较大，为了克服这一缺点，工艺上采用了下面的选择发射区工艺技术，使电池的转换效率得到进一步的提高。

b.选择发射区工艺

在多晶硅电池的扩散工艺中，选择发射区技术分为局部腐蚀或两步扩散法。局部腐蚀为用干法（例如反应离子腐蚀）或化学腐蚀的方法，将金属电极之间区域的重扩散层腐蚀掉。最初，Solarex应用反应离子腐蚀的方法在同一台设备中，先用大反应功率腐蚀掉金属电极间的重掺杂层，再用小功率沉积一层氮化硅薄膜，该膜层发挥减反射和电池表面钝化的双重作用。在100cm2的多晶上作出转换效率超过13％的电池。在同样面积上，应用两部扩散法，未作机械绒面的情况下转换效率达到16％。

c.背表面场的形成

背PN结通常由丝网印刷A浆料并在网带炉中热退火后形成，该工艺在形成背表面结的同时，对多晶硅中的杂质具有良好的吸除作用，铝吸杂过程一般在高温区段完成，测量结果表明吸杂作用可使前道高温过程所造成的多晶硅少子寿命的下降得到恢复。良好的背表面场可明显地提高电池的开路电压。

d.丝网印刷金属电极

在规模化生产中，丝网印刷工艺与真空蒸发、金属电镀等工艺相比，更具有优势，在目前的工艺中，正面的印刷材料普遍选用含银的浆料，其主要原因是银具有良好的导电性、可焊性和在硅中的低扩散性能。经丝网印刷、退火所形成的金属层的导电性能取决于浆料的化学成份、玻璃体的含量、丝网的粗糟度、烧结条件和丝网版的厚度。八十年度初，丝网印刷具有一些缺陷，ⅰ)如栅线宽度较大，通常大于150微米；ⅱ)造成遮光较大，电池填充因子较低；ⅲ)不适合表面钝化，主要是表面扩散浓度较高，否则接触电阻较大。目前用先进的方法可丝网印出线宽达50微米的栅线，厚度超过15微米，方块电阻为2.5~4mΩ，该参数可满足高效电池的要求。有人在15×15平方厘米的Mc—Si上对丝网印刷电极和蒸发电极所作太阳电池进行了比较，各项参数几乎没有差距。

4 结束语

多晶硅电池的制作工艺不断向前发展，保证了电池的效率不断提高，成本下降，随着对材料、器件物理、光学特性认识的加深，导致电池的结构更趋合理，实验室水平和工业化大生产的距离不断缩小。丝网印刷和埋栅工艺为高效、低成本电池发挥了主要作用，高效Mc—Si电池组件已大量进入市场，目前的研究正致力于新性薄膜结构、廉价衬底上的电池等，面对用户，我们需要作的工作是实现更大批量的、低成本的生产，愿我们更加努力实现这一目标。


<br /><hr /> Orignal From: <a href="http://www.rayscience.com/blog/?p=74" target=_blank>多晶硅太阳能电池制作工艺概述</a><br />

中芯国际涉足太阳能电池和电池板制造领域

中芯国际周二宣布，该公司将自下月开始，利用来自核心业务的再生硅等原材料生产太阳能电池和电池板，以为公司开辟新的收入来源。

　　据路透社报道，中芯国际发言人Reiko Chang预计该公司太阳能电池和电池板业务初期将达到相当于10兆瓦的年产能。

　　制造太阳能电池和电池板所需的大部分技术与微芯片制造过程中使用的技术相似。"初期的产能不会太大。"她说。

　　太阳能电池和电池板现在的售价为3美元－4美元/瓦，意味着初期阶段新业务将为公司创造3000万美元－4000万美元的年收入。相比之下，该公司去年第四季度的收入为3.33亿美元。

　　由于技术门槛较低，再加上市场油价一直居高不下，政府鼓励使用清洁能源，越来越多的生产商已开始涉足这一领域。不过近来由于硅材料价格不断上涨，该行业的利润正在受到挤压。中芯国际的加入无疑将会进一步加大该行业的竞争。
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欧洲光伏生产和市场的变化趋势（单位兆瓦）

欧洲光伏生产和市场的变化趋势（单位兆瓦）
　　　 2004 2005 2006 2007 2008 2009 2010
生产量 314 480 720 1080 1620 2430 3645
安装量 450 608 820 1107 1495 2018 2720
差额＊ -136 -120 100 -27 -125 +412 +925
＊负号表示进口量；正号表示出口量


中国市场硅料需求和产量预测（单位：吨）
　　　　　2004年　2005年　2006年　2007年
　　需求　2280 　 3800 　 4700 　 7000
　　产量　 60 130 360 1500
　　缺口　2220 3670 4340 5500
　　　　　硅：是生产电池的原材料

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